Жесткие диски SSD и HDD 4 ТБ

Цена

Доступно списание бонусов Доступно списание бонусов

Доставка До 3 дней До 7 дней

Специальное предложение Скидки и промокоды Оплата частями Бонусы

Бренд KINGSTON SAMSUNG ADATA SEAGATE TOSHIBA WD Netac SILICON POWER DIGMA PC Pet

Тип накопителя HDD (Hard Disk Drive) - накопитель на базе магнитных дисков, "винчестер". Представляет собой пакет плоских дисков, покрытых магнитным слоем и упакованных в металлический корпус. Доступ к данным обеспечивается за счет вращения дисков с постоянной скоростью (5400 - 15000 об/мин) и перемещения головок чтения-записи при помощи специального поворотного механизма. Диски этого типа отличаются низкой стоимостью, низкой скоростью случайного доступа, низким уровнем надежности и устойчивости к внешним воздействиям. Гибридным называют винчестер с большим буфером энергонезависимой памяти (Flash), который работает как большой кэш для часто используемых данных. В силу различных причин не получил должного распространения. SSD накопитель Внешний SSD Внешний HDD HDD накопитель

Объем 1 ТБ 2 ТБ 512 ГБ 500 ГБ 4 ТБ 256 ГБ 480 ГБ 240 ГБ 128 ГБ 960 ГБ 120 ГБ 8 ТБ 6 ТБ 250 ГБ 2048 ГБ 10 ТБ 5 ТБ 1000 ГБ 12 ТБ 16 ТБ 20 ТБ 24 ТБ 28 ТБ 22 ТБ 1.92 ТБ 18 ТБ 14 ТБ 1.2 ТБ 32 ГБ 26 ТБ

Форм-фактор M.2 2.5" 3.5" 1.8"

Интерфейс SATA 3.0 PCI Express 4.0 x4 PCI Express 5.0 x4 USB USB 3.2 Gen2 (10 Гбит/с) USB 3.2 Gen1 (5 Гбит/с)

Совместимость с PS5 1

Размеры устройств M.2

Комплектация Накопитель SSD Кабель USB USB кабель Программное обеспечение Чехол Кабель USB, ПО

Тип микросхем Flash Flash-память - это разновидность энергонезависимой (не очищающейся при исчезновении питания) памяти, в которой для хранения информации используются транзисторы с плавающим затвором. Говоря простым языком, Flash-память состоит из миниатюрных полупроводниковых переключателей, способность переключаться которых зависит от количества заряженных частиц, помещенных в процессе записи в область их затворов. Электронные схемы (чаще всего применяется NAND) позволяют как считывать состояние затворов, измеряя внесенный ранее заряд, так и перезаписывать (удалять заряд и вносить его снова) затворы под действием тока записи. Следует понимать, что процесс перезаписи подвергает ячейки повышенной нагрузке и действует на них разрушающе. Flash-память типа NAND SLC (Single-Level Cell) использует запись и чтение только двух состояний транзистора (бита): есть заряд или нет заряда. Благодаря этому обеспечивается высокая надежность и долговечность ячеек: по некоторым оценкам, каждый транзистор такой памяти выдерживает до 100 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND MLC (Multi-Level Cell) позволяет хранить в одной ячейке два бита за счет измерения конкретного значения заряда (от 0 до 3). По мере износа затвора способность хранить заряд ухудшается, что приводит к раннему появлению ошибок. Считается, что 2-битная ячейка MLC в среднем выдерживает до 5 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND TLC (Triple-Level Cell) работает по тому же принципу, что и MLC, но позволяет хранить 3 бита, или 8 различных уровней заряда. Надежность этого вида памяти еще ниже - около 1 тыс. циклов перезаписи. NAND eMLC - это память типа MLC, в которой предприняты дополнительные меры для повышения надежности и отказоустойчивости. Применяется в дорогих накопителях для промышленного применения. gD V-NAND - принципиально новый тип Flash-памяти, использующий расположение ячеек памяти не в плоскости, а в виде цилиндров с несколькими ячейками друг над другом. Благодаря этой технологии достигается существенное увеличение плотности расположения ячеек без вынужденных потерь в качестве и долговечности, как в случае с MLC/TLC. По некоторым оценкам, V-NAND в первом же поколении обеспечивает 2-кратное улучшение скорости с 10-кратным улучшением долговечности при сравнимой с MLC плотности расположения. gD QLC NAND - память предполагает хранение четырёх битов данных в одной ячейке, что означат большую плотность хранения данных, а соответственно и меньшую стоимость самих твердотельных накопителей. 3D TLC NAND

Дополнительно USB 3.0 Охлаждение Радиатор IP65

Скорость чтения Скорость последовательного чтения - это скорость получения данных, хранящихся на винчестере или SSD, когда эти данные расположены в расположенных друг за другом ячейках. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

Скорость записи Скорость последовательной записи - это скорость записи данных на винчестер или SSD, когда эти данные помещаются в расположенные друг за другом ячейки. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

Ресурс записи TBW (total bytes written, «всего записанных байт») – лимит на общее количество всей записанной информации за весь срок пользования SSD-накопителем в терабайтах. По достижении указанного значения работоспособность устройства не гарантируется.

Страна происхождения (производства) Тайвань Китай Корея Россия Таиланд

Материал корпуса Металл Пластик Резина

USB 3.0 1

SATA 6 Нет

Аппаратное шифрование Нет AES 256bit Да (AES 256bit)

Средняя наработка на отказ

Цвет Черный Белый Серебристый Серый Бежевый Голубой Красный Синий

Thunderbolt 1

Контроллер Phison PS5018-E18 Innogrit IG5236 Maxio MAP1602 MaxioTech MAP1602A Silicon Motion SM2508