Жесткие диски SSD и HDD с объемом на 4 Тб

Цена

Доступно списание бонусов Доступно списание бонусов

Специальное предложение Оплата частями Скидки и промокоды Бонусы

Бренд KINGSTON SAMSUNG ADATA SEAGATE Netac TOSHIBA WD PATRIOT SILICON POWER DIGMA MIREX PC Pet

Тип накопителя HDD (Hard Disk Drive) - накопитель на базе магнитных дисков, "винчестер". Представляет собой пакет плоских дисков, покрытых магнитным слоем и упакованных в металлический корпус. Доступ к данным обеспечивается за счет вращения дисков с постоянной скоростью (5400 - 15000 об/мин) и перемещения головок чтения-записи при помощи специального поворотного механизма. Диски этого типа отличаются низкой стоимостью, низкой скоростью случайного доступа, низким уровнем надежности и устойчивости к внешним воздействиям. Гибридным называют винчестер с большим буфером энергонезависимой памяти (Flash), который работает как большой кэш для часто используемых данных. В силу различных причин не получил должного распространения. SSD накопитель Внешний HDD HDD накопитель

Объем 1 ТБ 2 ТБ 500 ГБ 512 ГБ 4 ТБ 256 ГБ 240 ГБ 480 ГБ 128 ГБ 8 ТБ 6 ТБ 120 ГБ 250 ГБ 960 ГБ 1024 ГБ 10 ТБ 1000 ГБ 16 ТБ 5 ТБ 12 ТБ 28 ТБ 2048 ГБ 20 ТБ 24 ТБ 1.92 ТБ 14 ТБ 22 ТБ 18 ТБ

Форм-фактор M.2 2.5" 3.5" 1.8"

Интерфейс PCI Express 4.0 x4 SATA 3.0 PCI Express 5.0 x4 USB USB 3.2 Gen2 (10 Гбит/с)

Совместимость с PS5 1

Размеры устройств M.2

Комплектация Накопитель SSD USB кабель Кабель USB Программное обеспечение

Скорость чтения Скорость последовательного чтения - это скорость получения данных, хранящихся на винчестере или SSD, когда эти данные расположены в расположенных друг за другом ячейках. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

USB 3.0 1

Страна происхождения (производства) Китай Россия Таиланд

Дополнительно USB 3.0 Охлаждение

Тип микросхем Flash Flash-память - это разновидность энергонезависимой (не очищающейся при исчезновении питания) памяти, в которой для хранения информации используются транзисторы с плавающим затвором. Говоря простым языком, Flash-память состоит из миниатюрных полупроводниковых переключателей, способность переключаться которых зависит от количества заряженных частиц, помещенных в процессе записи в область их затворов. Электронные схемы (чаще всего применяется NAND) позволяют как считывать состояние затворов, измеряя внесенный ранее заряд, так и перезаписывать (удалять заряд и вносить его снова) затворы под действием тока записи. Следует понимать, что процесс перезаписи подвергает ячейки повышенной нагрузке и действует на них разрушающе. Flash-память типа NAND SLC (Single-Level Cell) использует запись и чтение только двух состояний транзистора (бита): есть заряд или нет заряда. Благодаря этому обеспечивается высокая надежность и долговечность ячеек: по некоторым оценкам, каждый транзистор такой памяти выдерживает до 100 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND MLC (Multi-Level Cell) позволяет хранить в одной ячейке два бита за счет измерения конкретного значения заряда (от 0 до 3). По мере износа затвора способность хранить заряд ухудшается, что приводит к раннему появлению ошибок. Считается, что 2-битная ячейка MLC в среднем выдерживает до 5 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND TLC (Triple-Level Cell) работает по тому же принципу, что и MLC, но позволяет хранить 3 бита, или 8 различных уровней заряда. Надежность этого вида памяти еще ниже - около 1 тыс. циклов перезаписи. NAND eMLC - это память типа MLC, в которой предприняты дополнительные меры для повышения надежности и отказоустойчивости. Применяется в дорогих накопителях для промышленного применения. gD V-NAND - принципиально новый тип Flash-памяти, использующий расположение ячеек памяти не в плоскости, а в виде цилиндров с несколькими ячейками друг над другом. Благодаря этой технологии достигается существенное увеличение плотности расположения ячеек без вынужденных потерь в качестве и долговечности, как в случае с MLC/TLC. По некоторым оценкам, V-NAND в первом же поколении обеспечивает 2-кратное улучшение скорости с 10-кратным улучшением долговечности при сравнимой с MLC плотности расположения. gD QLC NAND - память предполагает хранение четырёх битов данных в одной ячейке, что означат большую плотность хранения данных, а соответственно и меньшую стоимость самих твердотельных накопителей. 3D TLC NAND TLC

SATA 6 Нет

Скорость записи Скорость последовательной записи - это скорость записи данных на винчестер или SSD, когда эти данные помещаются в расположенные друг за другом ячейки. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

Материал корпуса Металл Пластик

Ресурс записи TBW (total bytes written, «всего записанных байт») – лимит на общее количество всей записанной информации за весь срок пользования SSD-накопителем в терабайтах. По достижении указанного значения работоспособность устройства не гарантируется.

Контроллер Phison PS5018-E18 MaxioTech MAP1602A Silicon Motion SM2508 Maxio MAP1602 RayMX RM1135

Цвет Серебристый Черный Бежевый Белый Голубой Красный Серый Синий

Аппаратное шифрование Да (AES 256bit) Нет AES 256bit

Средняя наработка на отказ

Вход для адаптера питания 1