Жесткие диски

Наличие в магазинах пр-т Партизанский, 79 (ТЦ «Prizma», цокольный этаж) пр-т Дзержинского, 104-2 (ТЦ «Титан», 1 этаж) пр-т Независимости, 154 (ТЦ «Корона», 1 этаж) ул. Мстиславца, 11 (ТЦ «Dana Mall», 3 этаж) ул. Притыцкого, 156 (ТЦ «GreenCity», 2 этаж) д. Боровая, 74а (ТЦ «Экспобел») ул. Корженевского, 26 (ТЦ «Корона», 1 этаж) ул. Денисовская, 8 (ТЦ «Корона-Сити», 1 этаж) ул. Кальварийская, 24 (ТЦ «Корона», 2 этаж) ул. Горецкого, 2 (ТЦ «Гиппо», 1 этаж) пр-т Независимости, 3-2 (ТЦ «Столица») д. Боровая, 7а (ТЦ «Боро», 1 этаж) пр-т Победителей, 9 (ТРЦ «Галерея Минск», 4 этаж) ул. Голубка, 2 (ТЦ «Бонус», 2 этаж) пр-т Победителей, 65/1 (ТЦ «Замок», 4 этаж) ул. Монтажников, 2 (Гипермаркет «Евроопт», 1 этаж) ул. Нестерова, 49 (Гипермаркет «Евроопт», 2 этаж) ул. Кульман, 14-1 (1 этаж) пр. Независимости, 117

Цена

Доступно списание бонусов Доступно списание бонусов

Специальное предложение Оплата частями Скидки и промокоды Бонусы

Бренд KINGSTON SAMSUNG ADATA SEAGATE TOSHIBA Netac TRANSCEND WD HP PATRIOT CRUCIAL Hikvision APACER Kingspec AMD DIGMA AGI SILICON POWER KINGPRICE WESTERN DIGITAL MIREX Dahua PC Pet Synology

Тип накопителя HDD (Hard Disk Drive) - накопитель на базе магнитных дисков, "винчестер". Представляет собой пакет плоских дисков, покрытых магнитным слоем и упакованных в металлический корпус. Доступ к данным обеспечивается за счет вращения дисков с постоянной скоростью (5400 - 15000 об/мин) и перемещения головок чтения-записи при помощи специального поворотного механизма. Диски этого типа отличаются низкой стоимостью, низкой скоростью случайного доступа, низким уровнем надежности и устойчивости к внешним воздействиям. Гибридным называют винчестер с большим буфером энергонезависимой памяти (Flash), который работает как большой кэш для часто используемых данных. В силу различных причин не получил должного распространения. SSD накопитель Внешний SSD Внешний HDD HDD накопитель

Объем 1 ТБ 2 ТБ 512 ГБ 4 ТБ 500 ГБ 256 ГБ 240 ГБ 6 ТБ 8 ТБ 128 ГБ 120 ГБ 480 ГБ 960 ГБ 250 ГБ 1024 ГБ 10 ТБ 5 ТБ 16 ТБ 2048 ГБ 12 ТБ 22 ТБ 1000 ГБ 24 ТБ 20 ТБ 28 ТБ 600 ГБ

Форм-фактор M.2 2.5" mSATA 3.5" 1.8" USB Настольный

Интерфейс PCI Express 4.0 x4 PCI Express 5.0 x4 SATA 3.0 PCI Express 3.0 x4 SAS 3.0 USB Type-C USB USB 3.2 Gen1 (5 Гбит/с) USB 3.2 Gen 2 USB 3.2 Gen2 (10 Гбит/с)

Совместимость с PS5 1

Размеры устройств M.2

Комплектация Накопитель SSD Твердотельный накопитель USB кабель Кабель USB Type-C - USB Type-C Кабель USB Type-C - USB Type-A USB Type-C - USB Type-C; USB Type-C - USB Type-A Кабель USB Программное обеспечение Переходник USB Type A - USB Type C Кабель USB, ПО Кабель USB 2шт, ПО Чехол

USB 3.0 1

Скорость чтения Скорость последовательного чтения - это скорость получения данных, хранящихся на винчестере или SSD, когда эти данные расположены в расположенных друг за другом ячейках. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

Скорость записи Скорость последовательной записи - это скорость записи данных на винчестер или SSD, когда эти данные помещаются в расположенные друг за другом ячейки. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

Дополнительно Охлаждение USB 3.0 Аппаратное шифрование AES 256-bit USB Type C на корпусе IP65 USB 3.2 Gen2 Type-C (10 Гбит/с) Совместим с ROG Ally и Steam Deck

Тип микросхем Flash Flash-память - это разновидность энергонезависимой (не очищающейся при исчезновении питания) памяти, в которой для хранения информации используются транзисторы с плавающим затвором. Говоря простым языком, Flash-память состоит из миниатюрных полупроводниковых переключателей, способность переключаться которых зависит от количества заряженных частиц, помещенных в процессе записи в область их затворов. Электронные схемы (чаще всего применяется NAND) позволяют как считывать состояние затворов, измеряя внесенный ранее заряд, так и перезаписывать (удалять заряд и вносить его снова) затворы под действием тока записи. Следует понимать, что процесс перезаписи подвергает ячейки повышенной нагрузке и действует на них разрушающе. Flash-память типа NAND SLC (Single-Level Cell) использует запись и чтение только двух состояний транзистора (бита): есть заряд или нет заряда. Благодаря этому обеспечивается высокая надежность и долговечность ячеек: по некоторым оценкам, каждый транзистор такой памяти выдерживает до 100 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND MLC (Multi-Level Cell) позволяет хранить в одной ячейке два бита за счет измерения конкретного значения заряда (от 0 до 3). По мере износа затвора способность хранить заряд ухудшается, что приводит к раннему появлению ошибок. Считается, что 2-битная ячейка MLC в среднем выдерживает до 5 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND TLC (Triple-Level Cell) работает по тому же принципу, что и MLC, но позволяет хранить 3 бита, или 8 различных уровней заряда. Надежность этого вида памяти еще ниже - около 1 тыс. циклов перезаписи. NAND eMLC - это память типа MLC, в которой предприняты дополнительные меры для повышения надежности и отказоустойчивости. Применяется в дорогих накопителях для промышленного применения. gD V-NAND - принципиально новый тип Flash-памяти, использующий расположение ячеек памяти не в плоскости, а в виде цилиндров с несколькими ячейками друг над другом. Благодаря этой технологии достигается существенное увеличение плотности расположения ячеек без вынужденных потерь в качестве и долговечности, как в случае с MLC/TLC. По некоторым оценкам, V-NAND в первом же поколении обеспечивает 2-кратное улучшение скорости с 10-кратным улучшением долговечности при сравнимой с MLC плотности расположения. gD QLC NAND - память предполагает хранение четырёх битов данных в одной ячейке, что означат большую плотность хранения данных, а соответственно и меньшую стоимость самих твердотельных накопителей. 3D TLC NAND TLC 3D QLC NAND 3D MLC NAND MLC 3D NAND

Страна происхождения (производства) Тайвань Корея Россия Китай Таиланд Филиппины

Материал корпуса Металл Пластик Резина Алюминий Силикон

SATA 6 Нет 3 12

Thunderbolt 1

Ресурс записи TBW (total bytes written, «всего записанных байт») – лимит на общее количество всей записанной информации за весь срок пользования SSD-накопителем в терабайтах. По достижении указанного значения работоспособность устройства не гарантируется.

Контроллер Silicon Motion SM2263XT Phison PS5018-E18 Samsung MKX Silicon Motion SM2259XT Silicon Motion SM2258XT Maxio MAP1602 MaxioTech MAP1602A Maxio MAP1202 Phison PS3111-S11 Samsung Pablo Silicon Motion SM2269XT Silicon Motion SM2508 Phison PS5026-E26 Realtek RTS5766DL Silicon Motion SM2264 Innogrit IG5236 Maxiotek Phison E18 Phison PS5015-E15T Samsung Pascal Samsung Presto S4LY027 Silicon Motion SM2259

Вход для адаптера питания 1

Цвет Серый Черный Серебристый Синий Красный Белый Голубой Желтый Зеленый Бежевый

Аппаратное шифрование Нет Да (AES 256bit) AES 256bit

Средняя наработка на отказ