Жесткие диски и SSD-накопители

Наличие в магазинах пр-т Победителей, 65/1 (ТЦ «Замок», 4 этаж) пр-т Независимости, 154 (ТЦ «Корона», 1 этаж) ул. Притыцкого, 156 (ТЦ «GreenCity», 2 этаж) ул. Денисовская, 8 (ТЦ «Корона-Сити», 1 этаж) пр-т Партизанский, 79 (ТЦ «Prizma», цокольный этаж) д. Боровая, 74а (ТЦ «Экспобел») ул. Мстиславца, 11 (ТЦ «Dana Mall», 3 этаж) ул. Кальварийская, 24 (ТЦ «Корона», 2 этаж) ул. Голубка, 2 (ТЦ «Бонус», 2 этаж) ул. Горецкого, 2 (ТЦ «Гиппо», 1 этаж) пр-т Победителей, 9 (ТРЦ «Галерея Минск», 4 этаж) ул. Корженевского, 26 (ТЦ «Корона», 1 этаж) пр-т Дзержинского, 104-2 (ТЦ «Титан», 1 этаж) д. Боровая, 7а (ТЦ «Боро», 1 этаж) ул. Кульман, 14-1 (1 этаж) ул. Монтажников, 2 (Гипермаркет «Евроопт», 1 этаж) пр-т Независимости, 3-2 (ТЦ «Столица») ул. Нестерова, 49 (Гипермаркет «Евроопт», 2 этаж)

Цена

Доступно списание бонусов Да Нет

Доставка Сегодня Завтра До 3 дней

Специальное предложение Скидки и промокоды Оплата частями Бонусы Белорусские товары

Бренд KINGSTON SAMSUNG ADATA SEAGATE TOSHIBA WD Netac TRANSCEND PATRIOT APACER Kingspec SILICON POWER HP Hikvision AMD AGI DIGMA CRUCIAL KINGPRICE WESTERN DIGITAL Dahua MIREX PC Pet HORIZONT CABLEXPERT

Тип накопителя HDD (Hard Disk Drive) - накопитель на базе магнитных дисков, "винчестер". Представляет собой пакет плоских дисков, покрытых магнитным слоем и упакованных в металлический корпус. Доступ к данным обеспечивается за счет вращения дисков с постоянной скоростью (5400 - 15000 об/мин) и перемещения головок чтения-записи при помощи специального поворотного механизма. Диски этого типа отличаются низкой стоимостью, низкой скоростью случайного доступа, низким уровнем надежности и устойчивости к внешним воздействиям. Гибридным называют винчестер с большим буфером энергонезависимой памяти (Flash), который работает как большой кэш для часто используемых данных. В силу различных причин не получил должного распространения. SSD накопитель Внешний SSD Внешний HDD HDD накопитель

Объем 1 ТБ 2 ТБ 512 ГБ 500 ГБ 4 ТБ 256 ГБ 128 ГБ 240 ГБ 480 ГБ 6 ТБ 8 ТБ 120 ГБ 250 ГБ 960 ГБ 1024 ГБ 5 ТБ 1000 ГБ 10 ТБ 2048 ГБ 16 ТБ 12 ТБ 24 ТБ 20 ТБ

Форм-фактор M.2 2.5" 3.5" mSATA 1.8" Настольный

Интерфейс PCI Express 4.0 x4 SATA 3.0 PCI Express 5.0 x4 PCI Express 3.0 x4 USB USB 3.2 Gen1 (5 Гбит/с) USB 3.2 Gen2 (10 Гбит/с) SAS 3.0 PCI Express 5.0 x2 SATA

Совместимость с PS5 Да Нет

Размеры устройств M.2

Комплектация Накопитель SSD Твердотельный накопитель Кабель USB USB кабель Кабель USB, ПО Кабель USB 2шт, ПО Кабель USB Type-C - USB Type-A Кабель USB Type-C - USB Type-C Чехол Программное обеспечение Переходник USB Type A - USB Type C

Тип микросхем Flash Flash-память - это разновидность энергонезависимой (не очищающейся при исчезновении питания) памяти, в которой для хранения информации используются транзисторы с плавающим затвором. Говоря простым языком, Flash-память состоит из миниатюрных полупроводниковых переключателей, способность переключаться которых зависит от количества заряженных частиц, помещенных в процессе записи в область их затворов. Электронные схемы (чаще всего применяется NAND) позволяют как считывать состояние затворов, измеряя внесенный ранее заряд, так и перезаписывать (удалять заряд и вносить его снова) затворы под действием тока записи. Следует понимать, что процесс перезаписи подвергает ячейки повышенной нагрузке и действует на них разрушающе. Flash-память типа NAND SLC (Single-Level Cell) использует запись и чтение только двух состояний транзистора (бита): есть заряд или нет заряда. Благодаря этому обеспечивается высокая надежность и долговечность ячеек: по некоторым оценкам, каждый транзистор такой памяти выдерживает до 100 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND MLC (Multi-Level Cell) позволяет хранить в одной ячейке два бита за счет измерения конкретного значения заряда (от 0 до 3). По мере износа затвора способность хранить заряд ухудшается, что приводит к раннему появлению ошибок. Считается, что 2-битная ячейка MLC в среднем выдерживает до 5 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND TLC (Triple-Level Cell) работает по тому же принципу, что и MLC, но позволяет хранить 3 бита, или 8 различных уровней заряда. Надежность этого вида памяти еще ниже - около 1 тыс. циклов перезаписи. NAND eMLC - это память типа MLC, в которой предприняты дополнительные меры для повышения надежности и отказоустойчивости. Применяется в дорогих накопителях для промышленного применения. gD V-NAND - принципиально новый тип Flash-памяти, использующий расположение ячеек памяти не в плоскости, а в виде цилиндров с несколькими ячейками друг над другом. Благодаря этой технологии достигается существенное увеличение плотности расположения ячеек без вынужденных потерь в качестве и долговечности, как в случае с MLC/TLC. По некоторым оценкам, V-NAND в первом же поколении обеспечивает 2-кратное улучшение скорости с 10-кратным улучшением долговечности при сравнимой с MLC плотности расположения. gD QLC NAND - память предполагает хранение четырёх битов данных в одной ячейке, что означат большую плотность хранения данных, а соответственно и меньшую стоимость самих твердотельных накопителей. 3D TLC NAND TLC 3D TLC 3D QLC NAND 3D MLC NAND 3D NAND MLC

Скорость чтения Скорость последовательного чтения - это скорость получения данных, хранящихся на винчестере или SSD, когда эти данные расположены в расположенных друг за другом ячейках. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

Дополнительно Охлаждение USB 3.0 USB 3.2 Gen1 Type-A (5 Гбит/с) Радиатор USB Type C на корпусе Аппаратное шифрование AES 256-bit IP65

Скорость записи Скорость последовательной записи - это скорость записи данных на винчестер или SSD, когда эти данные помещаются в расположенные друг за другом ячейки. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

Страна происхождения (производства) Тайвань Китай Таиланд Беларусь Филиппины Корея

Материал корпуса Металл Силикон Пластик Резина Алюминий

USB 3.0 Да Нет

Ресурс записи TBW (total bytes written, «всего записанных байт») – лимит на общее количество всей записанной информации за весь срок пользования SSD-накопителем в терабайтах. По достижении указанного значения работоспособность устройства не гарантируется.

SATA Нет 6 12

Вход для адаптера питания Да Нет

Аппаратное шифрование Да (AES 256bit) Нет AES 256bit

Цвет Черный Синий Серебристый Красный Серый Зеленый Белый Бежевый Золотистый Голубой Фиолетовый Желтый

Контроллер Silicon Motion SM2263XT Phison PS5018-E18 Maxio MAP1202 Silicon Motion SM2259XT MaxioTech MAP1602A Phison PS3111-S11 Samsung MKX Silicon Motion SM2258XT Silicon Motion SM2508 Realtek RTS5766DL Samsung Pablo Silicon Motion SM2264 Innogrit IG5236 Maxio MAS0902A-B2C Maxiotek Phison PS5025-E25 Samsung Pascal Silicon Motion SM2269XT

Средняя наработка на отказ

eSATA Да Нет

Thunderbolt Да Нет