Жесткие диски и SSD-накопители

Наличие в магазинах пр-т Дзержинского, 104-2 (ТЦ «Титан», 1 этаж) ул. Притыцкого, 156 (ТЦ «GreenCity», 2 этаж) пр-т Независимости, 3-2 (ТЦ «Столица») пр-т Победителей, 9 (ТРЦ «Галерея Минск», 4 этаж) ул. Кальварийская, 24 (ТЦ «Корона», 2 этаж) ул. Денисовская, 8 (ТЦ «Корона-Сити», 1 этаж) д. Боровая, 74а (ТЦ «Экспобел») ул. Мстиславца, 11 (ТЦ «Dana Mall», 3 этаж) пр-т Независимости, 154 (ТЦ «Корона», 1 этаж) пр-т Победителей, 65/1 (ТЦ «Замок», 4 этаж) пр-т Партизанский, 79 (ТЦ «Prizma», цокольный этаж) ул. Голубка, 2 (ТЦ «Бонус», 2 этаж) ул. Корженевского, 26 (ТЦ «Корона», 1 этаж) ул. Нестерова, 49 (Гипермаркет «Евроопт», 2 этаж) ул. Горецкого, 2 (ТЦ «Гиппо», 1 этаж) д. Боровая, 7а (ТЦ «Боро», 1 этаж) ул. Кульман, 14-1 (1 этаж) ул. Монтажников, 2 (Гипермаркет «Евроопт», 1 этаж)

Цена

Доступно списание бонусов Доступно списание бонусов

Доставка Сегодня Завтра До 3 дней До 7 дней

Специальное предложение Скидки и промокоды Оплата частями Бонусы Уценка

Бренд KINGSTON SAMSUNG ADATA SEAGATE TOSHIBA WD Netac TRANSCEND PATRIOT APACER HP AMD Kingspec Hikvision SILICON POWER AGI DIGMA SANDISK KINGPRICE WESTERN DIGITAL Dahua MIREX PC Pet CABLEXPERT

Тип накопителя HDD (Hard Disk Drive) - накопитель на базе магнитных дисков, "винчестер". Представляет собой пакет плоских дисков, покрытых магнитным слоем и упакованных в металлический корпус. Доступ к данным обеспечивается за счет вращения дисков с постоянной скоростью (5400 - 15000 об/мин) и перемещения головок чтения-записи при помощи специального поворотного механизма. Диски этого типа отличаются низкой стоимостью, низкой скоростью случайного доступа, низким уровнем надежности и устойчивости к внешним воздействиям. Гибридным называют винчестер с большим буфером энергонезависимой памяти (Flash), который работает как большой кэш для часто используемых данных. В силу различных причин не получил должного распространения. SSD накопитель Внешний SSD Внешний HDD HDD накопитель

Объем 1 ТБ 2 ТБ 512 ГБ 500 ГБ 4 ТБ 256 ГБ 480 ГБ 240 ГБ 128 ГБ 120 ГБ 960 ГБ 8 ТБ 250 ГБ 6 ТБ 2048 ГБ 5 ТБ 1000 ГБ 10 ТБ 12 ТБ 16 ТБ 1.2 ТБ 1024 ГБ 24 ТБ 20 ТБ 14 ТБ 18 ТБ 600 ГБ 22 ТБ 28 ТБ

Форм-фактор M.2 2.5" 3.5" mSATA USB 1.8" Настольный

Интерфейс SATA 3.0 PCI Express 4.0 x4 PCI Express 3.0 x4 PCI Express 5.0 x4 USB Type-C USB 3.2 Gen2 (10 Гбит/с) USB USB 3.2 Gen 2 USB 3.2 Gen1 (5 Гбит/с) SAS 3.0 SATA

Совместимость с PS5 1

Размеры устройств M.2

Комплектация Накопитель SSD Накопитель HDD Твердотельный накопитель Радиатор Кабель USB USB кабель Программное обеспечение Чехол Кабель USB, ПО Переходник USB Type A - USB Type C Кабель USB Type-C - USB Type-A Кабель USB 2шт, ПО Кабель USB Type-C - USB Type-C

Тип микросхем Flash Flash-память - это разновидность энергонезависимой (не очищающейся при исчезновении питания) памяти, в которой для хранения информации используются транзисторы с плавающим затвором. Говоря простым языком, Flash-память состоит из миниатюрных полупроводниковых переключателей, способность переключаться которых зависит от количества заряженных частиц, помещенных в процессе записи в область их затворов. Электронные схемы (чаще всего применяется NAND) позволяют как считывать состояние затворов, измеряя внесенный ранее заряд, так и перезаписывать (удалять заряд и вносить его снова) затворы под действием тока записи. Следует понимать, что процесс перезаписи подвергает ячейки повышенной нагрузке и действует на них разрушающе. Flash-память типа NAND SLC (Single-Level Cell) использует запись и чтение только двух состояний транзистора (бита): есть заряд или нет заряда. Благодаря этому обеспечивается высокая надежность и долговечность ячеек: по некоторым оценкам, каждый транзистор такой памяти выдерживает до 100 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND MLC (Multi-Level Cell) позволяет хранить в одной ячейке два бита за счет измерения конкретного значения заряда (от 0 до 3). По мере износа затвора способность хранить заряд ухудшается, что приводит к раннему появлению ошибок. Считается, что 2-битная ячейка MLC в среднем выдерживает до 5 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND TLC (Triple-Level Cell) работает по тому же принципу, что и MLC, но позволяет хранить 3 бита, или 8 различных уровней заряда. Надежность этого вида памяти еще ниже - около 1 тыс. циклов перезаписи. NAND eMLC - это память типа MLC, в которой предприняты дополнительные меры для повышения надежности и отказоустойчивости. Применяется в дорогих накопителях для промышленного применения. gD V-NAND - принципиально новый тип Flash-памяти, использующий расположение ячеек памяти не в плоскости, а в виде цилиндров с несколькими ячейками друг над другом. Благодаря этой технологии достигается существенное увеличение плотности расположения ячеек без вынужденных потерь в качестве и долговечности, как в случае с MLC/TLC. По некоторым оценкам, V-NAND в первом же поколении обеспечивает 2-кратное улучшение скорости с 10-кратным улучшением долговечности при сравнимой с MLC плотности расположения. gD QLC NAND - память предполагает хранение четырёх битов данных в одной ячейке, что означат большую плотность хранения данных, а соответственно и меньшую стоимость самих твердотельных накопителей. 3D TLC NAND TLC 3D QLC NAND MLC 3D NAND 3D MLC NAND

Скорость чтения Скорость последовательного чтения - это скорость получения данных, хранящихся на винчестере или SSD, когда эти данные расположены в расположенных друг за другом ячейках. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

Страна происхождения (производства) Тайвань Корея Китай Россия Таиланд Филиппины

Дополнительно Охлаждение USB 3.0 USB 3.2 Gen2 Type-C (10 Гбит/с) USB 3.2 Gen1 Type-A (5 Гбит/с) USB Type C на корпусе Радиатор Аппаратное шифрование AES 256-bit IP65

Скорость записи Скорость последовательной записи - это скорость записи данных на винчестер или SSD, когда эти данные помещаются в расположенные друг за другом ячейки. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

Материал корпуса Металл Пластик Силикон Алюминий Резина

USB 3.0 1

Ресурс записи TBW (total bytes written, «всего записанных байт») – лимит на общее количество всей записанной информации за весь срок пользования SSD-накопителем в терабайтах. По достижении указанного значения работоспособность устройства не гарантируется.

SATA 6 Нет 1.5 12

Цвет Черный Белый Синий Серебристый Красный Серый Зеленый Желтый Голубой Фиолетовый Бежевый Золотистый Оранжевый

Аппаратное шифрование Нет Да (AES 256bit) AES 256bit

Средняя наработка на отказ

Вход для адаптера питания 1

Контроллер Silicon Motion SM2258XT Phison PS5018-E18 Silicon Motion SM2259XT Silicon Motion SM2263XT Samsung MKX MaxioTech MAP1602A Silicon Motion SM2259 Silicon Motion SM2264 Innogrit IG5236 Maxio MAS0902A-B2C Phison PS3111-S11 Realtek RTS5766DL Samsung Presto S4LY027 Silicon Motion SM2508 Maxio MAP1202 Maxio MAP1602 Maxiotek Phison E18 Phison PS5026-E26 Samsung Pablo Samsung Pascal

Thunderbolt 1