SSD-накопители Kingston

Наличие в магазинах пр-т Дзержинского, 104-2 (ТЦ «Титан», 1 этаж) ул. Притыцкого, 156 (ТЦ «GreenCity», 2 этаж) ул. Мстиславца, 11 (ТЦ «Dana Mall», 3 этаж) пр-т Независимости, 154 (ТЦ «Корона», 1 этаж) пр-т Независимости, 3-2 (ТЦ «Столица») ул. Кальварийская, 24 (ТЦ «Корона», 2 этаж) пр-т Победителей, 65/1 (ТЦ «Замок», 4 этаж) ул. Денисовская, 8 (ТЦ «Корона-Сити», 1 этаж) пр-т Партизанский, 79 (ТЦ «Prizma», цокольный этаж) ул. Голубка, 2 (ТЦ «Бонус», 2 этаж) ул. Горецкого, 2 (ТЦ «Гиппо», 1 этаж) ул. Корженевского, 26 (ТЦ «Корона», 1 этаж) д. Боровая, 7а (ТЦ «Боро», 1 этаж)

Цена

Доступно списание бонусов Доступно списание бонусов

Доставка Завтра До 3 дней До 7 дней

Специальное предложение Скидки и промокоды Оплата частями Бонусы

Бренд KINGSTON SAMSUNG ADATA SEAGATE TOSHIBA WD Netac HP AMD PATRIOT TRANSCEND APACER SILICON POWER Kingspec Hikvision DIGMA AGI KINGPRICE SANDISK WESTERN DIGITAL MIREX Dahua PC Pet

Тип накопителя HDD (Hard Disk Drive) - накопитель на базе магнитных дисков, "винчестер". Представляет собой пакет плоских дисков, покрытых магнитным слоем и упакованных в металлический корпус. Доступ к данным обеспечивается за счет вращения дисков с постоянной скоростью (5400 - 15000 об/мин) и перемещения головок чтения-записи при помощи специального поворотного механизма. Диски этого типа отличаются низкой стоимостью, низкой скоростью случайного доступа, низким уровнем надежности и устойчивости к внешним воздействиям. Гибридным называют винчестер с большим буфером энергонезависимой памяти (Flash), который работает как большой кэш для часто используемых данных. В силу различных причин не получил должного распространения. SSD накопитель Внешний SSD

Объем 1 ТБ 2 ТБ 512 ГБ 500 ГБ 4 ТБ 256 ГБ 480 ГБ 240 ГБ 960 ГБ 2048 ГБ

Форм-фактор M.2 2.5" mSATA USB

Интерфейс SATA 3.0 PCI Express 4.0 x4 PCI Express 5.0 x4 USB Type-C USB

Совместимость с PS5 1

Размеры устройств M.2

Комплектация Твердотельный накопитель Кабель USB Чехол

Тип микросхем Flash Flash-память - это разновидность энергонезависимой (не очищающейся при исчезновении питания) памяти, в которой для хранения информации используются транзисторы с плавающим затвором. Говоря простым языком, Flash-память состоит из миниатюрных полупроводниковых переключателей, способность переключаться которых зависит от количества заряженных частиц, помещенных в процессе записи в область их затворов. Электронные схемы (чаще всего применяется NAND) позволяют как считывать состояние затворов, измеряя внесенный ранее заряд, так и перезаписывать (удалять заряд и вносить его снова) затворы под действием тока записи. Следует понимать, что процесс перезаписи подвергает ячейки повышенной нагрузке и действует на них разрушающе. Flash-память типа NAND SLC (Single-Level Cell) использует запись и чтение только двух состояний транзистора (бита): есть заряд или нет заряда. Благодаря этому обеспечивается высокая надежность и долговечность ячеек: по некоторым оценкам, каждый транзистор такой памяти выдерживает до 100 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND MLC (Multi-Level Cell) позволяет хранить в одной ячейке два бита за счет измерения конкретного значения заряда (от 0 до 3). По мере износа затвора способность хранить заряд ухудшается, что приводит к раннему появлению ошибок. Считается, что 2-битная ячейка MLC в среднем выдерживает до 5 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND TLC (Triple-Level Cell) работает по тому же принципу, что и MLC, но позволяет хранить 3 бита, или 8 различных уровней заряда. Надежность этого вида памяти еще ниже - около 1 тыс. циклов перезаписи. NAND eMLC - это память типа MLC, в которой предприняты дополнительные меры для повышения надежности и отказоустойчивости. Применяется в дорогих накопителях для промышленного применения. gD V-NAND - принципиально новый тип Flash-памяти, использующий расположение ячеек памяти не в плоскости, а в виде цилиндров с несколькими ячейками друг над другом. Благодаря этой технологии достигается существенное увеличение плотности расположения ячеек без вынужденных потерь в качестве и долговечности, как в случае с MLC/TLC. По некоторым оценкам, V-NAND в первом же поколении обеспечивает 2-кратное улучшение скорости с 10-кратным улучшением долговечности при сравнимой с MLC плотности расположения. gD QLC NAND - память предполагает хранение четырёх битов данных в одной ячейке, что означат большую плотность хранения данных, а соответственно и меньшую стоимость самих твердотельных накопителей. 3D TLC NAND TLC 3D QLC NAND 3D MLC NAND

Скорость чтения Скорость последовательного чтения - это скорость получения данных, хранящихся на винчестере или SSD, когда эти данные расположены в расположенных друг за другом ячейках. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

Скорость записи Скорость последовательной записи - это скорость записи данных на винчестер или SSD, когда эти данные помещаются в расположенные друг за другом ячейки. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

Материал корпуса Металл Пластик

Страна происхождения (производства) Тайвань Китай

Ресурс записи TBW (total bytes written, «всего записанных байт») – лимит на общее количество всей записанной информации за весь срок пользования SSD-накопителем в терабайтах. По достижении указанного значения работоспособность устройства не гарантируется.

USB 3.0 1

SATA Нет

Аппаратное шифрование Нет Да (AES 256bit)

Средняя наработка на отказ

Цвет Черный Синий Серый Красный Серебристый

Контроллер Phison PS5018-E18 Silicon Motion SM2259 Phison PS3111-S11 Phison E18 Silicon Motion SM2508