Жесткие диски SSD и HDD с объемом 512 Гб

Наличие в магазинах пр-т Партизанский, 79 (ТЦ «Prizma», цокольный этаж) пр-т Независимости, 154 (ТЦ «Корона», 1 этаж) пр-т Дзержинского, 104-2 (ТЦ «Титан», 1 этаж) ул. Мстиславца, 11 (ТЦ «Dana Mall», 3 этаж) д. Боровая, 74а (ТЦ «Экспобел») д. Боровая, 7а (ТЦ «Боро», 1 этаж) пр-т Независимости, 3-2 (ТЦ «Столица») ул. Притыцкого, 156 (ТЦ «GreenCity», 2 этаж) пр-т Победителей, 9 (ТРЦ «Галерея Минск», 4 этаж) ул. Кальварийская, 24 (ТЦ «Корона», 2 этаж) пр-т Победителей, 65/1 (ТЦ «Замок», 4 этаж) ул. Горецкого, 2 (ТЦ «Гиппо», 1 этаж) ул. Денисовская, 8 (ТЦ «Корона-Сити», 1 этаж) ул. Голубка, 2 (ТЦ «Бонус», 2 этаж) ул. Корженевского, 26 (ТЦ «Корона», 1 этаж) ул. Кульман, 14-1 (1 этаж) ул. Монтажников, 2 (Гипермаркет «Евроопт», 1 этаж) ул. Нестерова, 49 (Гипермаркет «Евроопт», 2 этаж)

Цена

Доступно списание бонусов Доступно списание бонусов

Специальное предложение Оплата частями Скидки и промокоды Бонусы

Бренд ADATA Netac HP PATRIOT Hikvision APACER Kingspec SILICON POWER DIGMA

Тип накопителя HDD (Hard Disk Drive) - накопитель на базе магнитных дисков, "винчестер". Представляет собой пакет плоских дисков, покрытых магнитным слоем и упакованных в металлический корпус. Доступ к данным обеспечивается за счет вращения дисков с постоянной скоростью (5400 - 15000 об/мин) и перемещения головок чтения-записи при помощи специального поворотного механизма. Диски этого типа отличаются низкой стоимостью, низкой скоростью случайного доступа, низким уровнем надежности и устойчивости к внешним воздействиям. Гибридным называют винчестер с большим буфером энергонезависимой памяти (Flash), который работает как большой кэш для часто используемых данных. В силу различных причин не получил должного распространения. SSD накопитель Внешний SSD

Объем 1 ТБ 2 ТБ 512 ГБ 4 ТБ 500 ГБ 256 ГБ 240 ГБ 6 ТБ 8 ТБ 128 ГБ 120 ГБ 480 ГБ 250 ГБ 960 ГБ 1024 ГБ 10 ТБ 5 ТБ 16 ТБ 2048 ГБ 1000 ГБ 22 ТБ 12 ТБ 24 ТБ 28 ТБ 20 ТБ 14 ТБ 600 ГБ

Форм-фактор M.2 2.5" USB

Интерфейс PCI Express 4.0 x4 SATA 3.0 PCI Express 3.0 x4 USB Type-C USB

Совместимость с PS5 1

Размеры устройств M.2

Комплектация Накопитель SSD Твердотельный накопитель Кабель USB

Скорость чтения Скорость последовательного чтения - это скорость получения данных, хранящихся на винчестере или SSD, когда эти данные расположены в расположенных друг за другом ячейках. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

USB 3.0 1

Скорость записи Скорость последовательной записи - это скорость записи данных на винчестер или SSD, когда эти данные помещаются в расположенные друг за другом ячейки. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

Дополнительно USB 3.2 Gen2 Type-C (10 Гбит/с)

Тип микросхем Flash Flash-память - это разновидность энергонезависимой (не очищающейся при исчезновении питания) памяти, в которой для хранения информации используются транзисторы с плавающим затвором. Говоря простым языком, Flash-память состоит из миниатюрных полупроводниковых переключателей, способность переключаться которых зависит от количества заряженных частиц, помещенных в процессе записи в область их затворов. Электронные схемы (чаще всего применяется NAND) позволяют как считывать состояние затворов, измеряя внесенный ранее заряд, так и перезаписывать (удалять заряд и вносить его снова) затворы под действием тока записи. Следует понимать, что процесс перезаписи подвергает ячейки повышенной нагрузке и действует на них разрушающе. Flash-память типа NAND SLC (Single-Level Cell) использует запись и чтение только двух состояний транзистора (бита): есть заряд или нет заряда. Благодаря этому обеспечивается высокая надежность и долговечность ячеек: по некоторым оценкам, каждый транзистор такой памяти выдерживает до 100 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND MLC (Multi-Level Cell) позволяет хранить в одной ячейке два бита за счет измерения конкретного значения заряда (от 0 до 3). По мере износа затвора способность хранить заряд ухудшается, что приводит к раннему появлению ошибок. Считается, что 2-битная ячейка MLC в среднем выдерживает до 5 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND TLC (Triple-Level Cell) работает по тому же принципу, что и MLC, но позволяет хранить 3 бита, или 8 различных уровней заряда. Надежность этого вида памяти еще ниже - около 1 тыс. циклов перезаписи. NAND eMLC - это память типа MLC, в которой предприняты дополнительные меры для повышения надежности и отказоустойчивости. Применяется в дорогих накопителях для промышленного применения. gD V-NAND - принципиально новый тип Flash-памяти, использующий расположение ячеек памяти не в плоскости, а в виде цилиндров с несколькими ячейками друг над другом. Благодаря этой технологии достигается существенное увеличение плотности расположения ячеек без вынужденных потерь в качестве и долговечности, как в случае с MLC/TLC. По некоторым оценкам, V-NAND в первом же поколении обеспечивает 2-кратное улучшение скорости с 10-кратным улучшением долговечности при сравнимой с MLC плотности расположения. gD QLC NAND - память предполагает хранение четырёх битов данных в одной ячейке, что означат большую плотность хранения данных, а соответственно и меньшую стоимость самих твердотельных накопителей. 3D TLC NAND 3D NAND

Страна происхождения (производства) Тайвань Китай

Материал корпуса Металл Пластик Резина

SATA Нет

Thunderbolt 1

Ресурс записи TBW (total bytes written, «всего записанных байт») – лимит на общее количество всей записанной информации за весь срок пользования SSD-накопителем в терабайтах. По достижении указанного значения работоспособность устройства не гарантируется.

Контроллер Silicon Motion SM2263XT Silicon Motion SM2259XT Innogrit IG5236 Maxio MAP1202 Maxio MAP1602 Phison PS5015-E15T Realtek RTS5766DL Silicon Motion SM2258XT

Цвет Серый Черный Синий Зеленый Серебристый

Вход для адаптера питания 1

Аппаратное шифрование Нет Да (AES 256bit)

Средняя наработка на отказ