Жесткие диски и SSD-накопители

Наличие в магазинах пр-т Победителей, 9 (ТРЦ «Галерея Минск», 4 этаж) пр-т Дзержинского, 104-2 (ТЦ «Титан», 1 этаж) ул. Притыцкого, 156 (ТЦ «GreenCity», 2 этаж) ул. Корженевского, 26 (ТЦ «Корона», 1 этаж) пр-т Победителей, 65/1 (ТЦ «Замок», 4 этаж) пр-т Независимости, 154 (ТЦ «Корона», 1 этаж) пр-т Партизанский, 79 (ТЦ «Prizma», цокольный этаж) ул. Денисовская, 8 (ТЦ «Корона-Сити», 1 этаж) ул. Кальварийская, 24 (ТЦ «Корона», 2 этаж) д. Боровая, 74а (ТЦ «Экспобел») ул. Голубка, 2 (ТЦ «Бонус», 2 этаж) ул. Горецкого, 2 (ТЦ «Гиппо», 1 этаж) ул. Мстиславца, 11 (ТЦ «Dana Mall», 3 этаж) д. Боровая, 7а (ТЦ «Боро», 1 этаж) пр-т Независимости, 3-2 (ТЦ «Столица») ул. Нестерова, 49 (Гипермаркет «Евроопт», 2 этаж) ул. Монтажников, 2 (Гипермаркет «Евроопт», 1 этаж) ул. Кульман, 14-1 (1 этаж)

Цена

Доступно списание бонусов Да Нет

Доставка Завтра До 3 дней

Специальное предложение Скидки и промокоды Оплата частями Бонусы

Бренд KINGSTON SAMSUNG ADATA SEAGATE TOSHIBA Netac WD PATRIOT TRANSCEND APACER Hikvision Kingspec HP SILICON POWER AMD DIGMA AGI KINGPRICE SANDISK WESTERN DIGITAL Dahua MIREX PC Pet CABLEXPERT

Тип накопителя HDD (Hard Disk Drive) - накопитель на базе магнитных дисков, "винчестер". Представляет собой пакет плоских дисков, покрытых магнитным слоем и упакованных в металлический корпус. Доступ к данным обеспечивается за счет вращения дисков с постоянной скоростью (5400 - 15000 об/мин) и перемещения головок чтения-записи при помощи специального поворотного механизма. Диски этого типа отличаются низкой стоимостью, низкой скоростью случайного доступа, низким уровнем надежности и устойчивости к внешним воздействиям. Гибридным называют винчестер с большим буфером энергонезависимой памяти (Flash), который работает как большой кэш для часто используемых данных. В силу различных причин не получил должного распространения. SSD накопитель Внешний SSD Внешний HDD HDD накопитель

Объем 1 ТБ 2 ТБ 512 ГБ 500 ГБ 4 ТБ 256 ГБ 128 ГБ 240 ГБ 480 ГБ 120 ГБ 6 ТБ 8 ТБ 960 ГБ 250 ГБ 1024 ГБ 2048 ГБ 1000 ГБ 5 ТБ 10 ТБ 16 ТБ 12 ТБ 20 ТБ 24 ТБ 22 ТБ 14 ТБ 28 ТБ 600 ГБ 1.2 ТБ

Форм-фактор M.2 2.5" 3.5" mSATA 1.8" USB Настольный

Интерфейс PCI Express 4.0 x4 SATA 3.0 PCI Express 3.0 x4 PCI Express 5.0 x4 USB USB Type-C USB 3.2 Gen1 (5 Гбит/с) USB 3.2 Gen2 (10 Гбит/с) USB 3.2 Gen 2 SAS 3.0 SATA

Совместимость с PS5 Да Нет

Размеры устройств M.2

Комплектация Накопитель SSD Накопитель HDD Твердотельный накопитель Кабель USB USB кабель Чехол Кабель USB, ПО Кабель USB 2шт, ПО Кабель USB Type-C - USB Type-A Программное обеспечение Переходник USB Type A - USB Type C Кабель USB Type-C - USB Type-C

Тип микросхем Flash Flash-память - это разновидность энергонезависимой (не очищающейся при исчезновении питания) памяти, в которой для хранения информации используются транзисторы с плавающим затвором. Говоря простым языком, Flash-память состоит из миниатюрных полупроводниковых переключателей, способность переключаться которых зависит от количества заряженных частиц, помещенных в процессе записи в область их затворов. Электронные схемы (чаще всего применяется NAND) позволяют как считывать состояние затворов, измеряя внесенный ранее заряд, так и перезаписывать (удалять заряд и вносить его снова) затворы под действием тока записи. Следует понимать, что процесс перезаписи подвергает ячейки повышенной нагрузке и действует на них разрушающе. Flash-память типа NAND SLC (Single-Level Cell) использует запись и чтение только двух состояний транзистора (бита): есть заряд или нет заряда. Благодаря этому обеспечивается высокая надежность и долговечность ячеек: по некоторым оценкам, каждый транзистор такой памяти выдерживает до 100 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND MLC (Multi-Level Cell) позволяет хранить в одной ячейке два бита за счет измерения конкретного значения заряда (от 0 до 3). По мере износа затвора способность хранить заряд ухудшается, что приводит к раннему появлению ошибок. Считается, что 2-битная ячейка MLC в среднем выдерживает до 5 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND TLC (Triple-Level Cell) работает по тому же принципу, что и MLC, но позволяет хранить 3 бита, или 8 различных уровней заряда. Надежность этого вида памяти еще ниже - около 1 тыс. циклов перезаписи. NAND eMLC - это память типа MLC, в которой предприняты дополнительные меры для повышения надежности и отказоустойчивости. Применяется в дорогих накопителях для промышленного применения. gD V-NAND - принципиально новый тип Flash-памяти, использующий расположение ячеек памяти не в плоскости, а в виде цилиндров с несколькими ячейками друг над другом. Благодаря этой технологии достигается существенное увеличение плотности расположения ячеек без вынужденных потерь в качестве и долговечности, как в случае с MLC/TLC. По некоторым оценкам, V-NAND в первом же поколении обеспечивает 2-кратное улучшение скорости с 10-кратным улучшением долговечности при сравнимой с MLC плотности расположения. gD QLC NAND - память предполагает хранение четырёх битов данных в одной ячейке, что означат большую плотность хранения данных, а соответственно и меньшую стоимость самих твердотельных накопителей. 3D TLC NAND 3D QLC NAND TLC 3D MLC NAND 3D TLC MLC 3D NAND

Скорость чтения Скорость последовательного чтения - это скорость получения данных, хранящихся на винчестере или SSD, когда эти данные расположены в расположенных друг за другом ячейках. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

Дополнительно Охлаждение USB 3.2 Gen2 Type-C (10 Гбит/с) USB 3.0 USB 3.2 Gen1 Type-A (5 Гбит/с) USB Type C на корпусе Аппаратное шифрование AES 256-bit IP65

Скорость записи Скорость последовательной записи - это скорость записи данных на винчестер или SSD, когда эти данные помещаются в расположенные друг за другом ячейки. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

Страна происхождения (производства) Тайвань Таиланд Китай Корея Россия Филиппины

Материал корпуса Металл Силикон Пластик Резина Алюминий

Ресурс записи TBW (total bytes written, «всего записанных байт») – лимит на общее количество всей записанной информации за весь срок пользования SSD-накопителем в терабайтах. По достижении указанного значения работоспособность устройства не гарантируется.

USB 3.0 Да Нет

SATA Нет 6 3 12 1.5

Аппаратное шифрование Нет Да (AES 256bit) AES 256bit

Средняя наработка на отказ

Thunderbolt Да Нет

Цвет Черный Синий Серебристый Красный Серый Белый Зеленый Бежевый Голубой Фиолетовый Желтый Золотистый Оранжевый

Контроллер Silicon Motion SM2259XT Silicon Motion SM2263XT MaxioTech MAP1602A Phison PS5018-E18 Silicon Motion SM2258XT Samsung MKX Maxio MAP1202 Maxio MAS0902A-B2C Phison PS3111-S11 Realtek RTS5766DL Silicon Motion SM2264 Silicon Motion SM2508 Innogrit IG5236 Samsung Pablo Silicon Motion SM2259 Maxio MAP1602 Maxiotek Phison E18 Samsung Pascal Silicon Motion SM2269XT

eSATA Да Нет

Вход для адаптера питания Да Нет