(017) 359-59-59 (29) 5-700-700 (44) 5-700-700 (25) 6-700-700 275

Звоните ежедневно с 900 до 2100


0
Всего к оплате: {{$store.state.cart.totals.total_all | price}} Перейти в корзину

0

0
Вход

0
Всего к оплате: {{$store.state.cart.totals.total_all | price}} Перейти в корзину

0

0
Оперативная память HyperX Fury HX426C16FB3/8

Оперативная память HyperX Fury HX426C16FB3/8

Код: 137482

Оставьте отзыв первым!

Нет в наличии
Оперативная память HyperX Fury HX426C16FB3/8
Оперативная память HyperX Fury HX426C16FB3/8

0 отзывов

Описание
Характеристики
Тип

Модули оперативной памяти в зависимости от конструктивной реализации и электрического интерфейса микросхем делятся на несколько типов. Наиболее распространены модули DIMM (Dual In-line Memory Module) для настольных ПК и SO-DIMM для мобильных ПК и неттопов. В свою очередь модули могут относиться к одному из поколений: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM.

 DDR4 DIMM
Объем 8 ГБ
Частота

Частота, на которой происходит обмен данными между микросхемами DRAM и контроллером памяти. Чем выше частота, тем выше будет пиковая (мгновенная, без учета задержек доступа) скорость работы памяти. Впрочем, поддержка высоких частот должна быть обеспечена со стороны контроллера памяти (в чипсете или процессоре), иначе приобретать более скоростной тип памяти не имеет смысла.

 2666 МГц
Напряжение питания 1.2 В
Гарантия 5 лет
Страна происхождения (производства) Китай
Все характеристики
Инструкция
HX426C16FB3_8  (742.01 Кб)
Описание
Показать еще
*Сопровождающие товар фотографии предоставлены производителем, отображение на них внешнего вида товара зависит от настроек экрана и может отличаться от оригинала. Производитель может изменять дизайн, технические характеристики и комплектацию изделия без уведомления об этом продавца. Уточняйте важные для Вас параметры при заказе.
Изготовитель: Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USA
Импортер: ООО СОТА ИМПЭКС, 220030, г.Минск, ул. Я.Купалы, д.23, пом 1Н, комната 14/3
Сервисные центры
Характеристики
Характеристики
Основные
Бренд HYPERX
Тип

Модули оперативной памяти в зависимости от конструктивной реализации и электрического интерфейса микросхем делятся на несколько типов. Наиболее распространены модули DIMM (Dual In-line Memory Module) для настольных ПК и SO-DIMM для мобильных ПК и неттопов. В свою очередь модули могут относиться к одному из поколений: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM.

 DDR4 DIMM
Объем 8  ГБ
Количество модулей

Память может продаваться как отдельным модулем, так и в наборе. Обычно набор согласован для многоканального доступа, т.е. модули протестированы на работоспособность при заданных параметра (частота, задержки). Впрочем, набор может стоить дороже, чем модули по отдельности.

 1 модуль
Частота

Частота, на которой происходит обмен данными между микросхемами DRAM и контроллером памяти. Чем выше частота, тем выше будет пиковая (мгновенная, без учета задержек доступа) скорость работы памяти. Впрочем, поддержка высоких частот должна быть обеспечена со стороны контроллера памяти (в чипсете или процессоре), иначе приобретать более скоростной тип памяти не имеет смысла.

 2666  МГц
PC-индекс

Модули памяти, удовлетворяющие определенному стандарту JEDEC (определяет работоспособность при заданных параметрах, в том числе частоте), маркируются PC-индексом. Цифра после букв "PC" определяет поколение DDR (PC2 - DDR2, PC3 - DDR3), затем следует значение пиковой пропускной способности в Мбайт/с. Данное значение рассчитывается как произведение ширины шины памяти в байтах и частоты работы памяти. Например, для памяти DDR2 с частотой обмена данными 800 МГц индекс будет 800*8=6400, и память маркируется как PC2-6400.

 PC4-21300
CAS Latency

Одна из наиболее важных задержек адресации памяти DRAM носит название CAS Latency (CL). CAS - это Column Address Strobe, сигнал выборки столбца, который поступает после сигнала выборки строки (Row Address Strobe, или RAS). Фактически CAS Latency определяет скорость подачи данных на выходные усилители после поступления полного адреса. Ввиду того, что память DRAM работает в пакетном режиме, а блоки данных располагаются чаще всего последовательно, задержка CAS Latency вместе с частотой обмена данными фактически определяет скорость работы памяти. Проще говоря, чем меньше CL, тем меньше будет задержка и тем выше - общая скорость памяти. Но следует помнить, что CAS Latency для упрощения указывается не в единицах времени, а в тактах, а длительность такта зависит от частоты работы памяти. Сравнивать такты для памяти различного типа не имеет смысла.

 16T
Тайминги 16-18-18
Напряжение питания

Для каждого типа памяти (SDR, DDR, DDR2, DDR3, DDR4) предусмотрено определенное напряжение питания, а точнее, стандарт уровня напряжения SSTL. Иногда для повышения стабильности работы при "заводском разгоне" производитель рекомендует более высокое напряжение. С другой стороны, для снижения энергопотребления производитель может обеспечить работоспособность памяти и на пониженном напряжении.

 1.2  В
Охлаждение

Модули памяти при разгоне испытывают повышенный нагрев, как и любые другие компоненты. Наличие радиаторов позволяет равномерно распределить и рассеять выделяемую тепловую энергию. Если радиаторы обдуваются или к ним подведена жидкость, их эффективность возрастает многократно. При отсутствии разгона наличие радиаторов нежелательно, т.к. это увеличивает стоимость.
Гарантийное обслуживание
Гарантия 5 лет
Срок службы 5 лет
Страна происхождения (производства) Китай
Скрыть
Инструкция
HX426C16FB3_8  (742.01 Кб)
*Сопровождающие товар фотографии предоставлены производителем, отображение на них внешнего вида товара зависит от настроек экрана и может отличаться от оригинала. Производитель может изменять дизайн, технические характеристики и комплектацию изделия без уведомления об этом продавца. Уточняйте важные для Вас параметры при заказе.
Изготовитель: Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USA
Импортер: ООО СОТА ИМПЭКС, 220030, г.Минск, ул. Я.Купалы, д.23, пом 1Н, комната 14/3
Сервисные центры
Вопросы о товаре

Вопрос/Ответ

Уточнить сроки доставки и наличие в магазинах можно здесь.
 

Задайте вопрос о
Оперативная память HyperX Fury HX426C16FB3/8

Задать вопрос
Отзывы

Отзывы

Пожалуйста, поделитесь впечатлением от использования. Ведь значительно проще определиться с выбором, когда уже есть отзывы тех, кто опробовал товар в действии.
 

Оставьте свой отзыв первым о
Оперативная память HyperX Fury HX426C16FB3/8

Оставить отзыв
Mneniya.Pro

Оперативная память

Сравнить
0
В сравнении (0)
Избранное
0
Вы смотрели
1
Адреса магазинов
Обратная связь
275