Жесткие диски, SSD купить в Минске, С оплатой по частям, Цена

Наличие в магазинах ул. Притыцкого, 156 (ТЦ «GreenCity», 2 этаж) пр-т Партизанский, 79 (ТЦ «Prizma», цокольный этаж) ул. Кальварийская, 24 (ТЦ «Корона», 2 этаж) ул. Горецкого, 2 (ТЦ «Гиппо», 1 этаж) д. Боровая, 74а (ТЦ «Экспобел») ул. Мстиславца, 11 (ТЦ «Dana Mall», 3 этаж) пр-т Победителей, 9 (ТРЦ «Галерея Минск», 4 этаж) ул. Голубка, 2 (ТЦ «Бонус», 2 этаж) пр-т Дзержинского, 104-2 (ТЦ «Титан», 1 этаж) ул. Денисовская, 8 (ТЦ «Корона-Сити», 1 этаж) пр-т Независимости, 154 (ТЦ «Корона», 1 этаж) пр-т Победителей, 65/1 (ТЦ «Замок», 4 этаж) д. Боровая, 7а (ТЦ «Боро», 1 этаж) ул. Корженевского, 26 (ТЦ «Корона», 1 этаж) пр-т Независимости, 3-2 (ТЦ «Столица») ул. Нестерова, 49 (Гипермаркет «Евроопт», 2 этаж) ул. Кульман, 14-1 (1 этаж) ул. Монтажников, 2 (Гипермаркет «Евроопт», 1 этаж) Минск, Долгиновский тр-т ,188 (ТЦ "All House")

Цена

Доступно списание бонусов Да Нет

Доставка До 3 дней

Специальное предложение Оплата частями Скидки и промокоды Бонусы

Бренд KINGSTON SAMSUNG ADATA SEAGATE TOSHIBA Netac TRANSCEND APACER PATRIOT SILICON POWER Hikvision AGI WESTERN DIGITAL SANDISK Dahua MIREX

Тип накопителя HDD (Hard Disk Drive) - накопитель на базе магнитных дисков, "винчестер". Представляет собой пакет плоских дисков, покрытых магнитным слоем и упакованных в металлический корпус. Доступ к данным обеспечивается за счет вращения дисков с постоянной скоростью (5400 - 15000 об/мин) и перемещения головок чтения-записи при помощи специального поворотного механизма. Диски этого типа отличаются низкой стоимостью, низкой скоростью случайного доступа, низким уровнем надежности и устойчивости к внешним воздействиям. Гибридным называют винчестер с большим буфером энергонезависимой памяти (Flash), который работает как большой кэш для часто используемых данных. В силу различных причин не получил должного распространения. SSD накопитель Внешний SSD Внешний HDD HDD накопитель

Объем 1 ТБ 2 ТБ 512 ГБ 500 ГБ 4 ТБ 256 ГБ 240 ГБ 128 ГБ 8 ТБ 480 ГБ 6 ТБ 120 ГБ 250 ГБ 960 ГБ 5 ТБ 1024 ГБ 1000 ГБ 16 ТБ 24 ТБ

Форм-фактор M.2 2.5" 3.5" 1.8"

Интерфейс SATA 3.0 PCI Express 4.0 x4 PCI Express 3.0 x4 PCI Express 5.0 x4 USB USB 3.2 Gen1 (5 Гбит/с) PCI Express 5.0 x2 USB 3.2 Gen2 (10 Гбит/с)

Совместимость с PS5 Да Нет

Размеры устройств M.2

Тип микросхем Flash Flash-память - это разновидность энергонезависимой (не очищающейся при исчезновении питания) памяти, в которой для хранения информации используются транзисторы с плавающим затвором. Говоря простым языком, Flash-память состоит из миниатюрных полупроводниковых переключателей, способность переключаться которых зависит от количества заряженных частиц, помещенных в процессе записи в область их затворов. Электронные схемы (чаще всего применяется NAND) позволяют как считывать состояние затворов, измеряя внесенный ранее заряд, так и перезаписывать (удалять заряд и вносить его снова) затворы под действием тока записи. Следует понимать, что процесс перезаписи подвергает ячейки повышенной нагрузке и действует на них разрушающе. Flash-память типа NAND SLC (Single-Level Cell) использует запись и чтение только двух состояний транзистора (бита): есть заряд или нет заряда. Благодаря этому обеспечивается высокая надежность и долговечность ячеек: по некоторым оценкам, каждый транзистор такой памяти выдерживает до 100 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND MLC (Multi-Level Cell) позволяет хранить в одной ячейке два бита за счет измерения конкретного значения заряда (от 0 до 3). По мере износа затвора способность хранить заряд ухудшается, что приводит к раннему появлению ошибок. Считается, что 2-битная ячейка MLC в среднем выдерживает до 5 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND TLC (Triple-Level Cell) работает по тому же принципу, что и MLC, но позволяет хранить 3 бита, или 8 различных уровней заряда. Надежность этого вида памяти еще ниже - около 1 тыс. циклов перезаписи. NAND eMLC - это память типа MLC, в которой предприняты дополнительные меры для повышения надежности и отказоустойчивости. Применяется в дорогих накопителях для промышленного применения. gD V-NAND - принципиально новый тип Flash-памяти, использующий расположение ячеек памяти не в плоскости, а в виде цилиндров с несколькими ячейками друг над другом. Благодаря этой технологии достигается существенное увеличение плотности расположения ячеек без вынужденных потерь в качестве и долговечности, как в случае с MLC/TLC. По некоторым оценкам, V-NAND в первом же поколении обеспечивает 2-кратное улучшение скорости с 10-кратным улучшением долговечности при сравнимой с MLC плотности расположения. gD QLC NAND - память предполагает хранение четырёх битов данных в одной ячейке, что означат большую плотность хранения данных, а соответственно и меньшую стоимость самих твердотельных накопителей. 3D TLC NAND 3D QLC NAND 3D MLC NAND 3D NAND

Скорость записи Скорость последовательной записи - это скорость записи данных на винчестер или SSD, когда эти данные помещаются в расположенные друг за другом ячейки. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

Комплектация Твердотельный накопитель Кабель USB USB кабель Программное обеспечение Кабель USB 2шт, ПО Кабель USB, ПО

Страна происхождения (производства) Тайвань Китай Корея Таиланд Россия

USB 3.0 Да Нет

Скорость чтения Скорость последовательного чтения - это скорость получения данных, хранящихся на винчестере или SSD, когда эти данные расположены в расположенных друг за другом ячейках. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

Средняя наработка на отказ

Дополнительно USB 3.0 Аппаратное шифрование AES 256-bit

SATA 6 Нет

Ресурс записи TBW (total bytes written, «всего записанных байт») – лимит на общее количество всей записанной информации за весь срок пользования SSD-накопителем в терабайтах. По достижении указанного значения работоспособность устройства не гарантируется.

Материал корпуса Металл Резина Силикон Пластик