Жесткие диски, SSD

Наличие в магазинах ул. Притыцкого, 156 (ТЦ «GreenCity», 2 этаж) ул. Денисовская, 8 (ТЦ «Корона-Сити», 1 этаж) пр-т Партизанский, 79 (ТЦ «Prizma», цокольный этаж) пр-т Независимости, 154 (ТЦ «Корона», 1 этаж) пр-т Победителей, 9 (ТРЦ «Галерея Минск», 4 этаж) ул. Горецкого, 2 (ТЦ «Гиппо», 1 этаж) пр-т Дзержинского, 104-2 (ТЦ «Титан», 1 этаж) ул. Кальварийская, 24 (ТЦ «Корона», 2 этаж) ул. Голубка, 2 (ТЦ «Бонус», 2 этаж) ул. Корженевского, 26 (ТЦ «Корона», 1 этаж) ул. Мстиславца, 11 (ТЦ «Dana Mall», 3 этаж) пр-т Независимости, 3-2 (ТЦ «Столица») ул. Нестерова, 49 (Гипермаркет «Евроопт», 2 этаж) д. Боровая, 74а (ТЦ «Экспобел») пр-т Победителей, 65/1 (ТЦ «Замок», 4 этаж) д. Боровая, 7а (ТЦ «Боро», 1 этаж) ул. Кульман, 14-1 (1 этаж) ул. Монтажников, 2 (Гипермаркет «Евроопт», 1 этаж)

Цена

Доступно списание бонусов Доступно списание бонусов

Доставка До 3 дней До 7 дней

Специальное предложение Скидки и промокоды Оплата частями Бонусы

Бренд KINGSTON SAMSUNG ADATA SEAGATE TOSHIBA Netac PATRIOT TRANSCEND APACER Hikvision SILICON POWER AGI DIGMA WESTERN DIGITAL SANDISK MIREX Dahua

Тип накопителя HDD (Hard Disk Drive) - накопитель на базе магнитных дисков, "винчестер". Представляет собой пакет плоских дисков, покрытых магнитным слоем и упакованных в металлический корпус. Доступ к данным обеспечивается за счет вращения дисков с постоянной скоростью (5400 - 15000 об/мин) и перемещения головок чтения-записи при помощи специального поворотного механизма. Диски этого типа отличаются низкой стоимостью, низкой скоростью случайного доступа, низким уровнем надежности и устойчивости к внешним воздействиям. Гибридным называют винчестер с большим буфером энергонезависимой памяти (Flash), который работает как большой кэш для часто используемых данных. В силу различных причин не получил должного распространения. SSD накопитель Внешний SSD Внешний HDD HDD накопитель

Объем 1 ТБ 2 ТБ 512 ГБ 500 ГБ 4 ТБ 256 ГБ 480 ГБ 240 ГБ 128 ГБ 8 ТБ 6 ТБ 120 ГБ 960 ГБ 250 ГБ 1024 ГБ 5 ТБ 10 ТБ 2048 ГБ 1000 ГБ 1.2 ТБ 22 ТБ 600 ГБ 20 ТБ 18 ТБ 24 ТБ 16 ТБ 12 ТБ 28 ТБ 14 ТБ 32 ГБ

Форм-фактор M.2 2.5" 3.5" USB 1.8"

Интерфейс PCI Express 4.0 x4 SATA 3.0 PCI Express 3.0 x4 PCI Express 5.0 x4 USB Type-C USB USB 3.2 Gen1 (5 Гбит/с) USB 3.2 Gen2 (10 Гбит/с) PCI Express 5.0 x2 USB 3.2 Gen 2

Совместимость с PS5 1

Размеры устройств M.2

Комплектация Накопитель SSD USB Type-C - USB Type-C; USB Type-C - USB Type-A Твердотельный накопитель Кабель USB USB кабель Программное обеспечение Чехол Кабель USB, ПО Кабель USB 2шт, ПО

Дополнительно USB 3.0 USB 3.2 Gen2 Type-C (10 Гбит/с) Аппаратное шифрование AES 256-bit IP65

Тип микросхем Flash Flash-память - это разновидность энергонезависимой (не очищающейся при исчезновении питания) памяти, в которой для хранения информации используются транзисторы с плавающим затвором. Говоря простым языком, Flash-память состоит из миниатюрных полупроводниковых переключателей, способность переключаться которых зависит от количества заряженных частиц, помещенных в процессе записи в область их затворов. Электронные схемы (чаще всего применяется NAND) позволяют как считывать состояние затворов, измеряя внесенный ранее заряд, так и перезаписывать (удалять заряд и вносить его снова) затворы под действием тока записи. Следует понимать, что процесс перезаписи подвергает ячейки повышенной нагрузке и действует на них разрушающе. Flash-память типа NAND SLC (Single-Level Cell) использует запись и чтение только двух состояний транзистора (бита): есть заряд или нет заряда. Благодаря этому обеспечивается высокая надежность и долговечность ячеек: по некоторым оценкам, каждый транзистор такой памяти выдерживает до 100 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND MLC (Multi-Level Cell) позволяет хранить в одной ячейке два бита за счет измерения конкретного значения заряда (от 0 до 3). По мере износа затвора способность хранить заряд ухудшается, что приводит к раннему появлению ошибок. Считается, что 2-битная ячейка MLC в среднем выдерживает до 5 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND TLC (Triple-Level Cell) работает по тому же принципу, что и MLC, но позволяет хранить 3 бита, или 8 различных уровней заряда. Надежность этого вида памяти еще ниже - около 1 тыс. циклов перезаписи. NAND eMLC - это память типа MLC, в которой предприняты дополнительные меры для повышения надежности и отказоустойчивости. Применяется в дорогих накопителях для промышленного применения. gD V-NAND - принципиально новый тип Flash-памяти, использующий расположение ячеек памяти не в плоскости, а в виде цилиндров с несколькими ячейками друг над другом. Благодаря этой технологии достигается существенное увеличение плотности расположения ячеек без вынужденных потерь в качестве и долговечности, как в случае с MLC/TLC. По некоторым оценкам, V-NAND в первом же поколении обеспечивает 2-кратное улучшение скорости с 10-кратным улучшением долговечности при сравнимой с MLC плотности расположения. gD QLC NAND - память предполагает хранение четырёх битов данных в одной ячейке, что означат большую плотность хранения данных, а соответственно и меньшую стоимость самих твердотельных накопителей. 3D TLC NAND 3D NAND 3D QLC NAND

Скорость записи Скорость последовательной записи - это скорость записи данных на винчестер или SSD, когда эти данные помещаются в расположенные друг за другом ячейки. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

Скорость чтения Скорость последовательного чтения - это скорость получения данных, хранящихся на винчестере или SSD, когда эти данные расположены в расположенных друг за другом ячейках. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

Ресурс записи TBW (total bytes written, «всего записанных байт») – лимит на общее количество всей записанной информации за весь срок пользования SSD-накопителем в терабайтах. По достижении указанного значения работоспособность устройства не гарантируется.

Страна происхождения (производства) Тайвань Китай Таиланд Корея

USB 3.0 1

SATA 6 Нет

Материал корпуса Металл Пластик Резина Силикон Алюминий

Thunderbolt 1

Аппаратное шифрование Нет AES 256bit Да (AES 256bit)

Цвет Черный Красный Синий Серебристый Серый Желтый Бежевый Белый Голубой Зеленый Оранжевый

Контроллер Samsung MKX Silicon Motion SM2264 Phison PS5018-E18 Innogrit IG5236 Phison E18 Realtek RTS5766DL Samsung Pablo Samsung Pascal Silicon Motion SM2258XT Silicon Motion SM2259XT Silicon Motion SM2263XT

Средняя наработка на отказ

Вход для адаптера питания 1