Жесткие диски

Наличие в магазинах пр-т Партизанский, 79 (ТЦ «Prizma», цокольный этаж) пр-т Дзержинского, 104-2 (ТЦ «Титан», 1 этаж) пр-т Независимости, 154 (ТЦ «Корона», 1 этаж) ул. Корженевского, 26 (ТЦ «Корона», 1 этаж) ул. Притыцкого, 156 (ТЦ «GreenCity», 2 этаж) д. Боровая, 74а (ТЦ «Экспобел») ул. Мстиславца, 11 (ТЦ «Dana Mall», 3 этаж) ул. Денисовская, 8 (ТЦ «Корона-Сити», 1 этаж) ул. Кальварийская, 24 (ТЦ «Корона», 2 этаж) ул. Горецкого, 2 (ТЦ «Гиппо», 1 этаж) пр-т Независимости, 3-2 (ТЦ «Столица») д. Боровая, 7а (ТЦ «Боро», 1 этаж) ул. Нестерова, 49 (Гипермаркет «Евроопт», 2 этаж) пр-т Победителей, 9 (ТРЦ «Галерея Минск», 4 этаж) ул. Голубка, 2 (ТЦ «Бонус», 2 этаж) пр-т Победителей, 65/1 (ТЦ «Замок», 4 этаж) ул. Монтажников, 2 (Гипермаркет «Евроопт», 1 этаж) ул. Кульман, 14-1 (1 этаж) пр. Независимости, 117

Цена

Доступно списание бонусов Доступно списание бонусов

Специальное предложение Оплата частями Скидки и промокоды Уценка Бонусы

Бренд KINGSTON SAMSUNG ADATA SEAGATE TOSHIBA TRANSCEND Netac WD HP PATRIOT Hikvision APACER CRUCIAL AMD AGI Kingspec KINGPRICE DIGMA WESTERN DIGITAL MIREX SANDISK SILICON POWER Dahua PC Pet Synology

Тип накопителя HDD (Hard Disk Drive) - накопитель на базе магнитных дисков, "винчестер". Представляет собой пакет плоских дисков, покрытых магнитным слоем и упакованных в металлический корпус. Доступ к данным обеспечивается за счет вращения дисков с постоянной скоростью (5400 - 15000 об/мин) и перемещения головок чтения-записи при помощи специального поворотного механизма. Диски этого типа отличаются низкой стоимостью, низкой скоростью случайного доступа, низким уровнем надежности и устойчивости к внешним воздействиям. Гибридным называют винчестер с большим буфером энергонезависимой памяти (Flash), который работает как большой кэш для часто используемых данных. В силу различных причин не получил должного распространения. SSD накопитель Внешний SSD Внешний HDD HDD накопитель

Объем 1 ТБ 2 ТБ 512 ГБ 4 ТБ 500 ГБ 256 ГБ 240 ГБ 8 ТБ 6 ТБ 128 ГБ 120 ГБ 480 ГБ 960 ГБ 250 ГБ 1024 ГБ 10 ТБ 5 ТБ 16 ТБ 2048 ГБ 22 ТБ 12 ТБ 1000 ГБ 24 ТБ 20 ТБ 14 ТБ 28 ТБ 600 ГБ

Форм-фактор M.2 2.5" mSATA 3.5" 1.8" USB Настольный

Интерфейс PCI Express 4.0 x4 PCI Express 5.0 x4 SATA 3.0 PCI Express 3.0 x4 SAS 3.0 USB Type-C USB USB 3.2 Gen1 (5 Гбит/с) PCI Express 5.0 x2 USB 3.2 Gen 2 SATA USB 3.2 Gen2 (10 Гбит/с)

Совместимость с PS5 1

Размеры устройств M.2

Комплектация Накопитель SSD Твердотельный накопитель USB кабель Кабель USB Type-C - USB Type-C Кабель USB Type-C - USB Type-A USB Type-C - USB Type-C; USB Type-C - USB Type-A Переходник USB Type A - USB Type C Радиатор Кабель USB Программное обеспечение Переходник Кабель USB, ПО Кабель USB 2шт, ПО Чехол USB кабель - 2 шт.

Скорость чтения Скорость последовательного чтения - это скорость получения данных, хранящихся на винчестере или SSD, когда эти данные расположены в расположенных друг за другом ячейках. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

USB 3.0 1

Скорость записи Скорость последовательной записи - это скорость записи данных на винчестер или SSD, когда эти данные помещаются в расположенные друг за другом ячейки. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

Дополнительно Охлаждение USB 3.0 Совместим с ROG Ally и Steam Deck USB Type C на корпусе Аппаратное шифрование AES 256-bit USB 3.2 Gen2 Type-C (10 Гбит/с) IP65 Класс защиты IP55

Тип микросхем Flash Flash-память - это разновидность энергонезависимой (не очищающейся при исчезновении питания) памяти, в которой для хранения информации используются транзисторы с плавающим затвором. Говоря простым языком, Flash-память состоит из миниатюрных полупроводниковых переключателей, способность переключаться которых зависит от количества заряженных частиц, помещенных в процессе записи в область их затворов. Электронные схемы (чаще всего применяется NAND) позволяют как считывать состояние затворов, измеряя внесенный ранее заряд, так и перезаписывать (удалять заряд и вносить его снова) затворы под действием тока записи. Следует понимать, что процесс перезаписи подвергает ячейки повышенной нагрузке и действует на них разрушающе. Flash-память типа NAND SLC (Single-Level Cell) использует запись и чтение только двух состояний транзистора (бита): есть заряд или нет заряда. Благодаря этому обеспечивается высокая надежность и долговечность ячеек: по некоторым оценкам, каждый транзистор такой памяти выдерживает до 100 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND MLC (Multi-Level Cell) позволяет хранить в одной ячейке два бита за счет измерения конкретного значения заряда (от 0 до 3). По мере износа затвора способность хранить заряд ухудшается, что приводит к раннему появлению ошибок. Считается, что 2-битная ячейка MLC в среднем выдерживает до 5 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND TLC (Triple-Level Cell) работает по тому же принципу, что и MLC, но позволяет хранить 3 бита, или 8 различных уровней заряда. Надежность этого вида памяти еще ниже - около 1 тыс. циклов перезаписи. NAND eMLC - это память типа MLC, в которой предприняты дополнительные меры для повышения надежности и отказоустойчивости. Применяется в дорогих накопителях для промышленного применения. gD V-NAND - принципиально новый тип Flash-памяти, использующий расположение ячеек памяти не в плоскости, а в виде цилиндров с несколькими ячейками друг над другом. Благодаря этой технологии достигается существенное увеличение плотности расположения ячеек без вынужденных потерь в качестве и долговечности, как в случае с MLC/TLC. По некоторым оценкам, V-NAND в первом же поколении обеспечивает 2-кратное улучшение скорости с 10-кратным улучшением долговечности при сравнимой с MLC плотности расположения. gD QLC NAND - память предполагает хранение четырёх битов данных в одной ячейке, что означат большую плотность хранения данных, а соответственно и меньшую стоимость самих твердотельных накопителей. 3D TLC NAND TLC 3D MLC NAND MLC 3D QLC NAND 3D NAND

Страна происхождения (производства) Тайвань Корея Китай Россия Таиланд Филиппины

Материал корпуса Металл Пластик Резина Алюминий Силикон

SATA 6 Нет 3 12

Контроллер Phison PS5018-E18 Silicon Motion SM2264 Silicon Motion SM2269XT Silicon Motion SM2263XT Samsung MKX Silicon Motion SM2258XT Silicon Motion SM2259XT MaxioTech MAP1602A Silicon Motion SM2508 Maxio MAP1602 Maxio MAP1202 Phison PS3111-S11 Realtek RTS5766DL Samsung Pablo Phison PS5026-E26 Samsung Presto S4LY027 Innogrit IG5236 Maxiotek Phison PS5015-E15T Samsung Pascal Samsung Piccolo Silicon Motion SM2259

Thunderbolt 1

Ресурс записи TBW (total bytes written, «всего записанных байт») – лимит на общее количество всей записанной информации за весь срок пользования SSD-накопителем в терабайтах. По достижении указанного значения работоспособность устройства не гарантируется.

Вход для адаптера питания 1

Цвет Серый Черный Синий Серебристый Красный Белый Зеленый Голубой Бежевый Желтый Оранжевый

Аппаратное шифрование Нет Да (AES 256bit) AES 256bit

Средняя наработка на отказ