Жесткие диски и SSD-накопители

Наличие в магазинах пр-т Дзержинского, 104-2 (ТЦ «Титан», 1 этаж) ул. Притыцкого, 156 (ТЦ «GreenCity», 2 этаж) д. Боровая, 74а (ТЦ «Экспобел») ул. Мстиславца, 11 (ТЦ «Dana Mall», 3 этаж) ул. Кальварийская, 24 (ТЦ «Корона», 2 этаж) пр-т Независимости, 3-2 (ТЦ «Столица») ул. Денисовская, 8 (ТЦ «Корона-Сити», 1 этаж) пр-т Независимости, 154 (ТЦ «Корона», 1 этаж) пр-т Победителей, 65/1 (ТЦ «Замок», 4 этаж) пр-т Победителей, 9 (ТРЦ «Галерея Минск», 4 этаж) пр-т Партизанский, 79 (ТЦ «Prizma», цокольный этаж) ул. Голубка, 2 (ТЦ «Бонус», 2 этаж) ул. Корженевского, 26 (ТЦ «Корона», 1 этаж) ул. Горецкого, 2 (ТЦ «Гиппо», 1 этаж) д. Боровая, 7а (ТЦ «Боро», 1 этаж) ул. Нестерова, 49 (Гипермаркет «Евроопт», 2 этаж) ул. Кульман, 14-1 (1 этаж) ул. Монтажников, 2 (Гипермаркет «Евроопт», 1 этаж)

Цена

Доступно списание бонусов Доступно списание бонусов

Доставка Завтра До 3 дней До 7 дней

Специальное предложение Скидки и промокоды Оплата частями Уценка Бонусы

Бренд KINGSTON SAMSUNG ADATA SEAGATE TOSHIBA WD Netac HP AMD PATRIOT TRANSCEND APACER SILICON POWER Hikvision Kingspec DIGMA AGI KINGPRICE SANDISK WESTERN DIGITAL MIREX Dahua PC Pet

Тип накопителя HDD (Hard Disk Drive) - накопитель на базе магнитных дисков, "винчестер". Представляет собой пакет плоских дисков, покрытых магнитным слоем и упакованных в металлический корпус. Доступ к данным обеспечивается за счет вращения дисков с постоянной скоростью (5400 - 15000 об/мин) и перемещения головок чтения-записи при помощи специального поворотного механизма. Диски этого типа отличаются низкой стоимостью, низкой скоростью случайного доступа, низким уровнем надежности и устойчивости к внешним воздействиям. Гибридным называют винчестер с большим буфером энергонезависимой памяти (Flash), который работает как большой кэш для часто используемых данных. В силу различных причин не получил должного распространения. SSD накопитель Внешний SSD Внешний HDD HDD накопитель

Объем 1 ТБ 2 ТБ 512 ГБ 500 ГБ 4 ТБ 256 ГБ 480 ГБ 240 ГБ 128 ГБ 120 ГБ 960 ГБ 8 ТБ 6 ТБ 250 ГБ 1024 ГБ 2048 ГБ 5 ТБ 1000 ГБ 10 ТБ 12 ТБ 16 ТБ 1.2 ТБ 20 ТБ 22 ТБ 18 ТБ 14 ТБ 28 ТБ 24 ТБ 1.92 ТБ 600 ГБ 26 ТБ

Форм-фактор M.2 2.5" 3.5" mSATA USB 1.8" Настольный

Интерфейс SATA 3.0 PCI Express 4.0 x4 PCI Express 3.0 x4 PCI Express 5.0 x4 USB Type-C USB 3.2 Gen2 (10 Гбит/с) USB USB 3.2 Gen1 (5 Гбит/с) SAS 3.0 USB 3.2 Gen 2 PCI Express 5.0 x2 SATA

Совместимость с PS5 1

Размеры устройств M.2

Комплектация Накопитель SSD Накопитель HDD Твердотельный накопитель Кабель USB Радиатор USB кабель Программное обеспечение Кабель USB Type-C - USB Type-A Переходник USB Type A - USB Type C Чехол USB Type-C - USB Type-C; USB Type-C - USB Type-A Кабель USB, ПО Кабель USB 2шт, ПО Кабель USB Type-C - USB Type-C

Тип микросхем Flash Flash-память - это разновидность энергонезависимой (не очищающейся при исчезновении питания) памяти, в которой для хранения информации используются транзисторы с плавающим затвором. Говоря простым языком, Flash-память состоит из миниатюрных полупроводниковых переключателей, способность переключаться которых зависит от количества заряженных частиц, помещенных в процессе записи в область их затворов. Электронные схемы (чаще всего применяется NAND) позволяют как считывать состояние затворов, измеряя внесенный ранее заряд, так и перезаписывать (удалять заряд и вносить его снова) затворы под действием тока записи. Следует понимать, что процесс перезаписи подвергает ячейки повышенной нагрузке и действует на них разрушающе. Flash-память типа NAND SLC (Single-Level Cell) использует запись и чтение только двух состояний транзистора (бита): есть заряд или нет заряда. Благодаря этому обеспечивается высокая надежность и долговечность ячеек: по некоторым оценкам, каждый транзистор такой памяти выдерживает до 100 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND MLC (Multi-Level Cell) позволяет хранить в одной ячейке два бита за счет измерения конкретного значения заряда (от 0 до 3). По мере износа затвора способность хранить заряд ухудшается, что приводит к раннему появлению ошибок. Считается, что 2-битная ячейка MLC в среднем выдерживает до 5 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND TLC (Triple-Level Cell) работает по тому же принципу, что и MLC, но позволяет хранить 3 бита, или 8 различных уровней заряда. Надежность этого вида памяти еще ниже - около 1 тыс. циклов перезаписи. NAND eMLC - это память типа MLC, в которой предприняты дополнительные меры для повышения надежности и отказоустойчивости. Применяется в дорогих накопителях для промышленного применения. gD V-NAND - принципиально новый тип Flash-памяти, использующий расположение ячеек памяти не в плоскости, а в виде цилиндров с несколькими ячейками друг над другом. Благодаря этой технологии достигается существенное увеличение плотности расположения ячеек без вынужденных потерь в качестве и долговечности, как в случае с MLC/TLC. По некоторым оценкам, V-NAND в первом же поколении обеспечивает 2-кратное улучшение скорости с 10-кратным улучшением долговечности при сравнимой с MLC плотности расположения. gD QLC NAND - память предполагает хранение четырёх битов данных в одной ячейке, что означат большую плотность хранения данных, а соответственно и меньшую стоимость самих твердотельных накопителей. 3D TLC NAND TLC 3D QLC NAND MLC 3D NAND 3D MLC NAND

Скорость чтения Скорость последовательного чтения - это скорость получения данных, хранящихся на винчестере или SSD, когда эти данные расположены в расположенных друг за другом ячейках. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

Дополнительно USB 3.0 Охлаждение USB 3.2 Gen2 Type-C (10 Гбит/с) USB 3.2 Gen1 Type-A (5 Гбит/с) USB Type C на корпусе Аппаратное шифрование AES 256-bit IP65

Скорость записи Скорость последовательной записи - это скорость записи данных на винчестер или SSD, когда эти данные помещаются в расположенные друг за другом ячейки. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

Материал корпуса Металл Пластик Силикон Алюминий Резина

USB 3.0 1

Ресурс записи TBW (total bytes written, «всего записанных байт») – лимит на общее количество всей записанной информации за весь срок пользования SSD-накопителем в терабайтах. По достижении указанного значения работоспособность устройства не гарантируется.

Страна происхождения (производства) Тайвань Китай Россия Корея Таиланд Филиппины

SATA 6 Нет 12

Аппаратное шифрование Нет Да (AES 256bit) AES 256bit

Средняя наработка на отказ

Цвет Черный Белый Серебристый Синий Красный Серый Желтый Бежевый Зеленый Голубой Золотистый Оранжевый Фиолетовый

Контроллер Silicon Motion SM2259XT Silicon Motion SM2258XT Phison PS5018-E18 Silicon Motion SM2263XT Silicon Motion SM2264 Silicon Motion SM2508 Maxio MAS0902A-B2C Realtek RTS5766DL Silicon Motion SM2259 Phison PS3111-S11 Innogrit IG5236 Maxio MAP1202 Samsung MKX Samsung Presto S4LY027 Maxio MAP1602 MaxioTech MAP1602A Maxiotek Phison E18 Phison PS5026-E26 Samsung Pablo Samsung Pascal

Вход для адаптера питания 1

Thunderbolt 1