Жесткие диски SSD и HDD ADATA

Наличие в магазинах пр-т Независимости, 154 (ТЦ «Корона», 1 этаж) ул. Мстиславца, 11 (ТЦ «Dana Mall», 3 этаж) ул. Корженевского, 26 (ТЦ «Корона», 1 этаж) д. Боровая, 74а (ТЦ «Экспобел») д. Боровая, 7а (ТЦ «Боро», 1 этаж) пр-т Победителей, 9 (ТРЦ «Галерея Минск», 4 этаж) пр-т Победителей, 65/1 (ТЦ «Замок», 4 этаж) ул. Денисовская, 8 (ТЦ «Корона-Сити», 1 этаж) ул. Притыцкого, 156 (ТЦ «GreenCity», 2 этаж) пр-т Дзержинского, 104-2 (ТЦ «Титан», 1 этаж) пр-т Независимости, 3-2 (ТЦ «Столица») пр-т Партизанский, 79 (ТЦ «Prizma», цокольный этаж) ул. Голубка, 2 (ТЦ «Бонус», 2 этаж) ул. Горецкого, 2 (ТЦ «Гиппо», 1 этаж) ул. Кальварийская, 24 (ТЦ «Корона», 2 этаж) ул. Нестерова, 49 (Гипермаркет «Евроопт», 2 этаж) ул. Кульман, 14-1 (1 этаж) ул. Монтажников, 2 (Гипермаркет «Евроопт», 1 этаж)

Цена

Доступно списание бонусов Доступно списание бонусов

Специальное предложение Оплата частями Скидки и промокоды Бонусы

Бренд KINGSTON SAMSUNG ADATA SEAGATE Netac TOSHIBA WD TRANSCEND PATRIOT HP Hikvision CRUCIAL SILICON POWER APACER Kingspec DIGMA AGI AMD KINGPRICE WESTERN DIGITAL MIREX Dahua PC Pet Synology

Тип накопителя HDD (Hard Disk Drive) - накопитель на базе магнитных дисков, "винчестер". Представляет собой пакет плоских дисков, покрытых магнитным слоем и упакованных в металлический корпус. Доступ к данным обеспечивается за счет вращения дисков с постоянной скоростью (5400 - 15000 об/мин) и перемещения головок чтения-записи при помощи специального поворотного механизма. Диски этого типа отличаются низкой стоимостью, низкой скоростью случайного доступа, низким уровнем надежности и устойчивости к внешним воздействиям. Гибридным называют винчестер с большим буфером энергонезависимой памяти (Flash), который работает как большой кэш для часто используемых данных. В силу различных причин не получил должного распространения. SSD накопитель Внешний SSD Внешний HDD

Объем 1 ТБ 2 ТБ 512 ГБ 4 ТБ 256 ГБ 480 ГБ 960 ГБ 1000 ГБ 1.92 ТБ

Форм-фактор M.2 2.5"

Интерфейс PCI Express 4.0 x4 SATA 3.0 PCI Express 5.0 x4 PCI Express 3.0 x4 USB

Совместимость с PS5 1

Размеры устройств M.2

Комплектация Накопитель SSD Накопитель HDD USB кабель Кабель USB Программное обеспечение

Скорость чтения Скорость последовательного чтения - это скорость получения данных, хранящихся на винчестере или SSD, когда эти данные расположены в расположенных друг за другом ячейках. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

USB 3.0 1

Страна происхождения (производства) Тайвань Китай

Дополнительно USB 3.0 Охлаждение Аппаратное шифрование AES 256-bit

Тип микросхем Flash Flash-память - это разновидность энергонезависимой (не очищающейся при исчезновении питания) памяти, в которой для хранения информации используются транзисторы с плавающим затвором. Говоря простым языком, Flash-память состоит из миниатюрных полупроводниковых переключателей, способность переключаться которых зависит от количества заряженных частиц, помещенных в процессе записи в область их затворов. Электронные схемы (чаще всего применяется NAND) позволяют как считывать состояние затворов, измеряя внесенный ранее заряд, так и перезаписывать (удалять заряд и вносить его снова) затворы под действием тока записи. Следует понимать, что процесс перезаписи подвергает ячейки повышенной нагрузке и действует на них разрушающе. Flash-память типа NAND SLC (Single-Level Cell) использует запись и чтение только двух состояний транзистора (бита): есть заряд или нет заряда. Благодаря этому обеспечивается высокая надежность и долговечность ячеек: по некоторым оценкам, каждый транзистор такой памяти выдерживает до 100 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND MLC (Multi-Level Cell) позволяет хранить в одной ячейке два бита за счет измерения конкретного значения заряда (от 0 до 3). По мере износа затвора способность хранить заряд ухудшается, что приводит к раннему появлению ошибок. Считается, что 2-битная ячейка MLC в среднем выдерживает до 5 тыс. циклов перезаписи. Flash-память типа NAND TLC (Triple-Level Cell) работает по тому же принципу, что и MLC, но позволяет хранить 3 бита, или 8 различных уровней заряда. Надежность этого вида памяти еще ниже - около 1 тыс. циклов перезаписи. NAND eMLC - это память типа MLC, в которой предприняты дополнительные меры для повышения надежности и отказоустойчивости. Применяется в дорогих накопителях для промышленного применения. gD V-NAND - принципиально новый тип Flash-памяти, использующий расположение ячеек памяти не в плоскости, а в виде цилиндров с несколькими ячейками друг над другом. Благодаря этой технологии достигается существенное увеличение плотности расположения ячеек без вынужденных потерь в качестве и долговечности, как в случае с MLC/TLC. По некоторым оценкам, V-NAND в первом же поколении обеспечивает 2-кратное улучшение скорости с 10-кратным улучшением долговечности при сравнимой с MLC плотности расположения. gD QLC NAND - память предполагает хранение четырёх битов данных в одной ячейке, что означат большую плотность хранения данных, а соответственно и меньшую стоимость самих твердотельных накопителей. 3D TLC NAND 3D QLC NAND 3D NAND

SATA Нет

Скорость записи Скорость последовательной записи - это скорость записи данных на винчестер или SSD, когда эти данные помещаются в расположенные друг за другом ячейки. В случае с HDD эта скорость является максимально возможной, поскольку при последовательном расположении секторов не требуется перемещения головок чтения-записи.

Материал корпуса Металл Резина Пластик Силикон

Ресурс записи TBW (total bytes written, «всего записанных байт») – лимит на общее количество всей записанной информации за весь срок пользования SSD-накопителем в терабайтах. По достижении указанного значения работоспособность устройства не гарантируется.

Thunderbolt 1

Контроллер Maxio MAS0902A-B2C Realtek RTS5766DL Silicon Motion SM2258XT Silicon Motion SM2264 Innogrit IG5236 Phison PS5026-E26 Silicon Motion SM2508

Цвет Черный Синий Красный Белый Серый Желтый

Аппаратное шифрование Да (AES 256bit) Нет

Средняя наработка на отказ

Вход для адаптера питания 1