Оперативная память

Наличие в магазинах пр-т Независимости, 154 (ТЦ «Корона», 1 этаж) пр-т Партизанский, 79 (ТЦ «Prizma», цокольный этаж) ул. Мстиславца, 11 (ТЦ «Dana Mall», 3 этаж) ул. Притыцкого, 156 (ТЦ «GreenCity», 2 этаж) ул. Горецкого, 2 (ТЦ «Гиппо», 1 этаж) пр-т Дзержинского, 104-2 (ТЦ «Титан», 1 этаж) ул. Денисовская, 8 (ТЦ «Корона-Сити», 1 этаж) пр-т Победителей, 65/1 (ТЦ «Замок», 4 этаж) пр-т Победителей, 9 (ТРЦ «Галерея Минск», 4 этаж) ул. Кальварийская, 24 (ТЦ «Корона», 2 этаж) ул. Корженевского, 26 (ТЦ «Корона», 1 этаж)

Цена

Доступно списание бонусов Доступно списание бонусов

Доставка До 3 дней До 7 дней

Специальное предложение Скидки и промокоды Оплата частями Бонусы

Бренд KINGSTON ADATA Netac PATRIOT CRUCIAL Kingspec G.Skill DIGMA APACER AGI ASUSTOR TERRAMASTER Dahua

Тип Модули оперативной памяти в зависимости от конструктивной реализации и электрического интерфейса микросхем делятся на несколько типов. Наиболее распространены модули DIMM (Dual In-line Memory Module) для настольных ПК и SO-DIMM для мобильных ПК и неттопов. В свою очередь модули могут относиться к одному из поколений: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM. DDR4 DIMM DDR5 DIMM DDR5 SO-DIMM DDR4 SO-DIMM DDR3 DIMM DDR3 SO-DIMM DDR3L SO-DIMM DDR3L DIMM

Объем

Частота Частота, на которой происходит обмен данными между микросхемами DRAM и контроллером памяти. Чем выше частота, тем выше будет пиковая (мгновенная, без учета задержек доступа) скорость работы памяти. Впрочем, поддержка высоких частот должна быть обеспечена со стороны контроллера памяти (в чипсете или процессоре), иначе приобретать более скоростной тип памяти не имеет смысла.

Количество модулей Память может продаваться как отдельным модулем, так и в наборе. Обычно набор согласован для многоканального доступа, т.е. модули протестированы на работоспособность при заданных параметра (частота, задержки). Впрочем, набор может стоить дороже, чем модули по отдельности.

Тайминги 30-40-40 30-36-36 32-39-39 16-20-20-40 16-18-18 22-22-22-52 16-20-20 22-22-22 30-40-40-76 46-45-45 18-22-22 28-40-40-100 36-38-38 36-36-36-76 40-39-39 19-19-19-43 11-11-11 40-40-40-76 18-22-22-42 40-40-40-77 11-11-11-28 46-46-46-90 40-40-40 19-19-19 32-40-40-84 34-44-44-84 36-48-48-84 38-38-38 38-40-40 38-48-48-84 16-18-18-36 16-18-18-38 17-17-17 17-21-21-41 19-19-19-40 20-22-22 32-48-48-96 34-45-45 34-46-46 36-44-44-110 36-48-48 46-45-45-90

PC-индекс Модули памяти, удовлетворяющие определенному стандарту JEDEC (определяет работоспособность при заданных параметрах, в том числе частоте), маркируются PC-индексом. Цифра после букв "PC" определяет поколение DDR (PC2 - DDR2, PC3 - DDR3), затем следует значение пиковой пропускной способности в Мбайт/с. Данное значение рассчитывается как произведение ширины шины памяти в байтах и частоты работы памяти. Например, для памяти DDR2 с частотой обмена данными 800 МГц индекс будет 800*8=6400, и память маркируется как PC2-6400. PC4-25600 PC4-21300 PC5-44800 PC4-28800 PC5-48000 PC3-12800 PC5-60800 PC5-64000 PC5-51200 PC5-38400 PC5-49600 PC5-54400 PC4-26400 PC4-29800 PC5-56000 PC5-57600 PC5-59200 PC5-65600

CAS Latency Одна из наиболее важных задержек адресации памяти DRAM носит название CAS Latency (CL). CAS - это Column Address Strobe, сигнал выборки столбца, который поступает после сигнала выборки строки (Row Address Strobe, или RAS). Фактически CAS Latency определяет скорость подачи данных на выходные усилители после поступления полного адреса. Ввиду того, что память DRAM работает в пакетном режиме, а блоки данных располагаются чаще всего последовательно, задержка CAS Latency вместе с частотой обмена данными фактически определяет скорость работы памяти. Проще говоря, чем меньше CL, тем меньше будет задержка и тем выше - общая скорость памяти. Но следует помнить, что CAS Latency для упрощения указывается не в единицах времени, а в тактах, а длительность такта зависит от частоты работы памяти. Сравнивать такты для памяти различного типа не имеет смысла. 16T 30Т 17T 19T 18T 46Т 32T 40T 22T 11T 36T 38T 34Т 28T 20T CL46

Напряжение питания Для каждого типа памяти (SDR, DDR, DDR2, DDR3, DDR4) предусмотрено определенное напряжение питания, а точнее, стандарт уровня напряжения SSTL. Иногда для повышения стабильности работы при "заводском разгоне" производитель рекомендует более высокое напряжение. С другой стороны, для снижения энергопотребления производитель может обеспечить работоспособность памяти и на пониженном напряжении.

Профили XMP Профили XMP, прописанные в SPD модуля памяти, позволяют средствами BIOS Setup переключиться в режим разгона, не настраивая вручную все задержки (они описаны в профиле). По сути это всего лишь встроенная помощь неопытному пользователю, который хочет разогнать память, но не знает, как. 1

Охлаждение Модули памяти при разгоне испытывают повышенный нагрев, как и любые другие компоненты. Наличие радиаторов позволяет равномерно распределить и рассеять выделяемую тепловую энергию. Если радиаторы обдуваются или к ним подведена жидкость, их эффективность возрастает многократно. При отсутствии разгона наличие радиаторов нежелательно, т.к. это увеличивает стоимость. 1

Страна происхождения (производства) Китай Тайвань Малайзия

Дополнительно Подсветка элементов платы Низкопрофильный модуль Охлаждение

Профили AMP 1